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申请/专利权人：豪威科技股份有限公司
摘要：CMOS图像传感器具有光电二极管单元的阵列，每个光电二极管单元包括通过垂直转移栅极晶体管耦接到单个浮动节点扩散的四个掩埋光电二极管。每个单元还具有耦接到浮动节点扩散的复位晶体管、具有耦接到浮动节点扩散的栅极的源极跟随器晶体管以及耦接到源极跟随器晶体管的读取选择晶体管。复位晶体管、源极跟随器晶体管和读取选择晶体管主要具有与沿图像传感器的光电二极管阵列的光电二极管的整个水平行延伸的线的夹角大于30度且小于60度的栅极和形状边缘，以及在光电二极管阵列的光电二极管上方垂直地形成，并且在与光电二极管阵列的光电二极管相同的集成电路中。
主权项：1.一种包括光电二极管单元的阵列的CMOS图像传感器，其中多个光电二极管单元的每个包括：第一掩埋光电二极管、第二掩埋光电二极管、第三掩埋光电二极管和第四掩埋光电二极管，每个光电二极管通过垂直转移栅极晶体管耦接到单个浮动节点扩散，耦接到单个浮动节点扩散的复位晶体管，具有耦接到单个浮动节点扩散的栅极的源极跟随器晶体管，以及具有耦接到源极跟随器晶体管的源极的漏极的读取选择晶体管；其中复位晶体管、源极跟随器晶体管和读取选择晶体管主要具有以与沿图像传感器的光电二极管阵列的光电二极管的整个水平行延伸的线的夹角大于30度且小于60度为方向的栅极和形状边缘，并且垂直地形成在光电二极管阵列的光电二极管上方，且与光电二极管阵列的光电二极管形成在相同的集成电路中。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 豪威科技股份有限公司 CMOS图像传感器和生成电子图像的方法
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