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一种双层位错微晶Poly-Si结构、太阳能电池及制备方法 

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申请/专利权人:绵阳炘皓新能源科技有限公司

摘要:本发明涉及光伏技术领域,公开了一种双层位错微晶Poly‑Si结构、太阳能电池及制备方法,所述双层位错微晶Poly‑Si结构包括依次层叠设置在隧穿氧化层上的第一微晶Poly‑Si层和第二微晶Poly‑Si层;所述第一微晶Poly‑Si层和第二微晶Poly‑Si层之间的晶粒尺寸不同且晶界相互错开。本发明通过在隧穿氧化层上设置与原单层Poly‑Si具有相同厚度的双层Poly‑Si层,两层Poly‑Si结构形成的不同尺寸的微晶晶粒能够在两层界面之间形成错位的多晶界结构,能够给电极金属离子的间隙掺杂提供更多的阻力,减小其越过Poly‑Si层,达到隧穿氧化层的概率。

主权项:1.一种用于太阳能电池钝化接触的双层位错微晶Poly-Si结构的制备方法,其特征在于,所述双层位错微晶Poly-Si结构包括依次层叠设置在隧穿氧化层上的第一微晶Poly-Si层和第二微晶Poly-Si层;第一微晶Poly-Si层和第二微晶Poly-Si层采用低压力化学气相沉积法制备:第一微晶Poly-Si层的沉积温度从温区一到温区六分别为605℃、613℃、610℃、618℃、612℃、608℃;第二微晶Poly-Si层的沉积温度从温区一到温区六分别为598℃、606℃、601℃、609℃、605℃、601℃。

全文数据:

权利要求:

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