首页 专利交易 科技果 科技人才 科技服务 国际服务 商标交易 会员权益 IP管家助手 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索

Ti3C2 MXene负载异质原子掺杂和碳包覆的MoS2基复合材料及其制备方法和应用 

买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!

申请/专利权人:西京学院

摘要:本发明公开了一种Ti3C2MXene负载异质原子掺杂和碳包覆的MoS2基复合材料及其制备方法和应用,该复合材料由Ti3C2MXene负载钴或钒掺杂的MoS2前驱体在惰性气体氛围下进行高温碳化处理获得。本发明通过Ti3C2MXene骨架支撑提供大的比表面积、丰富的空隙以及快速的导电通道,通过钴或钒掺杂提高MoS2的本征电导率以及增加缺陷、插层和转化反应活性位点,通过外层碳包覆稳固MoS2纳米片与Ti3C2MXene基底之间的连接以及缓冲MoS2的体积变化,最终协同地提高材料的循环稳定性和倍率性能。

主权项:1.一种Ti3C2MXene负载异质原子掺杂和碳包覆的MoS2基复合材料,其特征在于,该MoS2基复合材料由Ti3C2MXene负载钴或钒掺杂的MoS2前驱体在惰性气体氛围下进行高温碳化处理获得;其中,所述高温碳化处理的碳化温度为500℃;所述Ti3C2MXene负载钴或钒掺杂的MoS2前驱体是通过将钼源、硫源、葡萄糖和钴源或钒源与Ti3C2MXene纳米片进行水热反应获得的;其中,所述水热反应的温度为180~200℃。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 西京学院 Ti3C2 MXene负载异质原子掺杂和碳包覆的MoS2基复合材料及其制备方法和应用

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

<相关技术