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申请/专利权人：新存科技(武汉)有限责任公司
摘要：本申请提供了存储器及存储器系统，存储器包括第一电极及存储层，包括第一子电极层和第二子电极层，存储层位于第一电极一侧，所述第一电极还包括第一缓冲层，所述第一缓冲层位于所述第一子电极层和第二子电极层之间。本申请提供的存储器及存储器系统能够降低电极的粗糙度，从而提升存储器的存储层的各种电性参数的良率。
主权项：1.一种存储器，其特征在于，包括：第一电极，包括第一子电极层及第二子电极层；存储层，位于第一电极一侧；其中，所述第一电极还包括第一缓冲层，所述第一缓冲层位于所述第一子电极层和第二子电极层之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 新存科技(武汉)有限责任公司 存储器及存储器系统
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