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申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
摘要：本申请公开了一种存储器及其制作方法、存储系统。该存储器包括衬底、器件层、隔垫层以及缓冲保护层；器件层设置于衬底上；隔垫层设置于器件层的一侧；缓冲保护层设置于器件层以及隔垫层皆远离衬底的一侧；其中，隔垫层沿平行于衬底的方向上与器件层相邻设置。本申请可以减小缓冲保护层延伸至器件层边缘时需要覆盖的段差，使得缓冲保护层可以有效覆盖器件层以及隔垫层，提高了缓冲保护层对器件层的保护作用，由于器件层边缘和衬底之间的段差减小，进而可以提高后续封装制程的良品率，提高了存储器的良品率和稳定性。
主权项：1.一种存储器，其特征在于，包括：衬底；器件层，设置于所述衬底上；隔垫层，设置于所述器件层的一侧；以及缓冲保护层，设置于所述器件层以及所述隔垫层皆远离所述衬底的一侧；其中，所述隔垫层沿平行于所述衬底的方向上与所述器件层相邻设置。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 存储器及其制作方法、存储系统
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