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申请/专利权人:浙江大学杭州国际科创中心
摘要:本申请涉及二维材料存储器及其制造方法、存储元件。该用于制造二维材料存储器的方法,该方法包括:形成依次层叠的第一电极、介电层、忆阻层及第二电极层;其中,介电层包括层叠设置的至少一层六方氮化硼层;忆阻层包括层叠设置的至少一层二碲化钼层。该方法能够制造稳定性好的二维材料存储器。
主权项:1.用于制造二维材料存储器的方法,其特征在于,包括:形成依次层叠的第一电极、介电层、忆阻层及第二电极层;其中,所述介电层包括层叠设置的至少一层六方氮化硼层;所述忆阻层包括层叠设置的至少一层二碲化钼层。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 浙江大学杭州国际科创中心 二维材料存储器及其制造方法、存储元件
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