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申请/专利权人：中国科学技术大学

摘要：本发明涉及一种基于非连续平面的金属空气桥制备方法，属于半导体加工工艺技术领域。被加工芯片的衬底上设有两种高度的两个以上的非连续台面，在非连续台面上制作金属空气桥的操作步骤如下：首先在具有非连续平面的衬底上匀涂第一光刻胶层，通过光刻留下覆盖两个非连续平面的光刻胶牺牲层；在玻璃化温度环境中热熔，实现对光刻胶牺牲层的形貌控制；在牺牲层上制作保护层和第二光刻胶层；采用刻蚀工艺去除需要制备金属空气桥位置的保护层；在镀膜设备中沉积金属，去除包括牺牲层在内的所有的光刻胶，实现非连续台面之间的金属空气桥互联。本发明的制备方法采用非常成熟的半导体工艺，实现了简单快速、低成本完成的非连续平面上金属空气桥的制作。

主权项：1.一种基于非连续平面的金属空气桥制备方法，被加工件为芯片的衬底（1），所述衬底（1）的被加工面上设有两种高度的两个以上的非连续台面，其特征在于：在两个以上的非连续台面上制作金属空气桥的操作步骤如下：（1）在具有两个以上的非连续台面的衬底（1）上均匀涂设第一光刻胶层（7）；（2）经过曝光显影，保留连接两个以上的非连续台面的第一光刻胶层（7），去除其他部位的第一光刻胶层（7）；（3）在玻璃化温度条件下热熔，热熔温度为120-140度、时间10-15分钟，得到与预期设计的金属空气桥形貌一致的光刻胶牺牲层（8）；（4）在光刻胶牺牲层（8）上喷涂一层光刻胶保护层（9），光刻胶保护层（9）的材料为聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）、厚度为200纳米；（5）在光刻胶保护层（9）上涂设一层1微米厚的LOR型光刻胶和一层1微米厚的AZ6112光刻胶，形成第二光刻胶层（10）；（6）经过曝光和显影，去除需要制备金属空气桥相对应区域的第二光刻胶层（10）；（7）采用干法刻蚀去除需要制备金属空气桥相对应区域的光刻胶保护层（9），暴露出两个以上的非连续台面上需要制备金属空气桥的区域和光刻胶牺牲层（8）；（8）将具有光刻胶牺牲层（8）、剩余的光刻胶保护层（9）和剩余的第二光刻胶层（10）的结构件放置于镀膜设备中，在光刻胶牺牲层（8）和剩余的第二光刻胶层（10）上沉积金属形成沉积金属层（6），沉积金属层（6）的厚度为500纳米；（9）将沉积金属层（6）的结构件放置于N-甲基吡咯烷酮（NMP）中水浴加热，去除光刻胶牺牲层（8）、剩余的光刻胶保护层（9）和剩余的第二光刻胶（10），使光刻胶牺牲层（8）下方的区域形成镂空空间（11），完成金属空气桥结构的制作。

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