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申请/专利权人：中国科学院金属研究所
摘要：本发明涉及涂层制备领域，特别是涉及一种铌合金表面硅化物层的制备方法，包括以下步骤：（1）使用高纯蒸镀用SiO2颗粒作为硅化物的硅源，将铌合金基板与海绵钛完全埋入装有SiO2颗粒的氧化铝坩埚中；（2）采用内外双层高纯石英管将氧化铝坩埚进行封装，石英管封口前，将石英管内空气抽出，充入高纯氩气；（3）将封装的石英管置于马弗炉中加热至1500℃至1600℃，保温4至8小时，升温速度5℃min至10℃min，保温时间到后炉内冷却至室温。该方法制备的硅化物涂层用于提高铌合金表面的硬度和抗高温氧化能力，亦可以用于钨合金、钼合金、钒合金以及难熔高熵合金的高温氧化防护。
主权项：1.一种铌合金表面硅化物层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）使用的高纯蒸镀用SiO2颗粒作为硅化物的硅源，SiO2颗粒直径1～3毫米，将铌合金块与海绵钛完全埋入装有SiO2颗粒的氧化铝坩埚中；（2）采用内外双层高纯石英管将氧化铝坩埚进行封装，外层石英管、内层石英管嵌套设置，氧化铝坩埚位于内层石英管中，石英管封口前，将石英管内空气抽出，抽至真空气压在1.0×10-3Pa以下，然后充入高纯氩气，内层石英管内氩气压力范围在2×103Pa至5×103Pa，外层石英管内氩气压力范围在5×103Pa至104Pa；（3）将封装的石英管置于马弗炉中进行热蒸发，加热至1500℃至1600℃，保温4至8小时，升温速度5℃min至10℃min，保温时间到后炉内冷却至室温。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院金属研究所 一种铌合金表面硅化物层的制备方法
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