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申请/专利权人：电子科技大学

摘要：本发明提供一种屏蔽栅沟槽MOSFET总剂量效应的紧凑SPICE模型建模方法，涉及集成电路技术领域，通过拟合不同测试条件以及辐射剂量下的模型，然后将拟合所用的各个参数采用三次分段差值Hermite法得到剂量与参数之间的插值函数，再将得到的函数带入到模型中，即可得到所测试的最大区间内任意辐射剂量下的模型。本发明提供了在一定辐射剂量下提供了一种精准的屏蔽栅沟槽MOSFET总剂量效应的紧凑SPICE模型建模方法。此建模方法准确的反应了SGTMOSFET遭受不同剂量TID效应后直流特性、电容特性与栅电荷的不同程度退化，可以高效精确的用于抗辐射领域的电路仿真。

主权项：1.一种屏蔽栅沟槽MOSFET总剂量效应的紧凑SPICE模型建模方法，其特征在于：模型包括：漂移区电流源101，沟道区电流源102，栅-漏电容103，栅-源电容104，漏-源电容105；栅-漏电容103，栅-源电容104，漏-源电容105采用行为模型来拟合；所述漂移区电流源101的下端连接到沟道区电流源102的上端，所述漂移区电流源101的上端连接到栅-漏电容103的上端、漏-源电容105的上端作为晶体管的漏极；所述沟道区电流源102的下端连接到栅-源电容104的下端、源-漏电容105的下端作为晶体管的源极，所述沟道区电流源102的上端连接到漂移区电流源101的下端；所述栅-漏电容103的下端连接到栅-源电容104的上端作为晶体管的栅极，所述栅漏电容103的上端连接到漂移区电流源101的上端、漏-源电容105的上端作为晶体管的漏极；所述栅-源电容104的下端连接到沟道区电流源102的下端、漏-源电容105的下端作为晶体管的源极，所述栅-源电容104的上端连接到栅-漏电容103的下端作为晶体管的栅极；所述源-漏电容105的下端连接到栅-源电容104的下端、沟道区电流源102的下端作为器件的源极，所述源-漏电容105的上端连接到栅-漏电容103的上端、漂移区电流源101的上端作为器件的漏极；所述屏蔽栅沟槽MOSFET总剂量效应的紧凑SPICE模型建模方法通过拟合不同测试条件以及辐射剂量下的模型，然后将拟合所用的各个参数采用三次分段差值Hermite法得到剂量与参数之间的插值函数，再将得到的函数带入到模型中，即可得到所测试的最大区间内任意辐射剂量下的模型。

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百度查询： 电子科技大学 屏蔽栅沟槽MOSFET总剂量效应的紧凑SPICE模型建模方法