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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要：一种获得转印避免模型的方法及系统、光学邻近校正方法、光罩、设备以及存储介质，获得转印避免模型的方法包括：对原始电镜图进行图像处理，用于调整争议点和背景之间的对比度，获得处理后图片；判断原始电镜图和处理后图片中辅助图形在光刻胶中的转印结果，将原始电镜图和处理后图片的转印结果均一致的辅助图形作为明确点集合，将转印结果不一致的辅助图形作为临界点集合；基于明确点集合和临界点集合，设置模型评价标准，且明确点集合的评价优先级高于临界点集合的评价优先级；获取原始转印避免模型；基于原始转印避免模型和模型评价标准，获得最终转印避免模型。本发明实施例提高对辅助图形的转印风险的预测准确度。
主权项：1.一种获得转印避免模型的方法，其特征在于，所述转印避免模型用于降低在进行光刻工艺的过程中辅助图形被转印至光刻胶中的风险；所述获得转印避免模型的方法，包括：获取利用光罩进行光刻工艺后的光刻胶图形的原始电镜图；所述光罩的掩膜版图包括：多个主图形和设置在主图形周围的辅助图形；所述原始电镜图中，具有转印判断争议的辅助图形用于作为争议点；对所述原始电镜图进行图像处理，用于调整争议点和背景之间的对比度，获得处理后图片；判断所述原始电镜图和处理后图片中辅助图形在光刻胶中的转印结果，将所述原始电镜图和处理后图片的转印结果均一致的辅助图形作为明确点集合，将转印结果不一致的辅助图形作为临界点集合；基于所述明确点集合和临界点集合，设置模型评价标准，且所述明确点集合的评价优先级高于所述临界点集合的评价优先级；获取原始转印避免模型；基于所述原始转印避免模型和模型评价标准，获得最终转印避免模型。
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权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 获得转印避免模型的方法及系统、光学邻近校正方法
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