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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要：本发明公开了一种屏蔽栅MOSFET的工艺方法，在对屏蔽栅与栅极之间的隔离介质层进行刻蚀之前，先对所述的隔离介质层进行带角度的非晶化注入工艺。通过在对沟槽内壁的隔离介质层先进行带角度的非晶化离子注入使沟槽侧壁的隔离介质层产生特定形貌的非晶化，非晶化的隔离介质层和未非晶化的隔离介质层在湿法刻蚀工艺中具有不同的刻蚀速率，非晶化的隔离介质层在湿法刻蚀工艺中具有更快的刻蚀速率，使得刻蚀之后的隔离介质层顶面与沟槽侧壁之间具有远大于90度的钝角，后续形成栅氧化层时能在该区域形成具有更厚的栅介质层，改善该区域栅源反向漏电的问题。
主权项：1.一种屏蔽栅MOSFET的工艺方法，其特征在于：在对屏蔽栅与栅极之间的隔离介质层进行刻蚀之前，先对所述的隔离介质层进行带角度的非晶化注入工艺。
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百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 屏蔽栅MOSFET的工艺方法
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