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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要：一种光学邻近校正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质，方法包括：提供初始版图，包括多个主图形；获得光刻工艺支持的临界间距以及接近所述临界间距的风险间距；获得每个主图形与其之具有所述风险间距的相邻主图形的数量，作为参考数量；基于参考数量，设置修正优先级规则，对主图形的修正优先级与所述参考数量呈正相关；基于所述修正优先级规则、光罩规则检查和边缘放置误差，对所述主图形进行修正处理，获得修正后版图。本发明实施例有利于显著改善修正后版图的光刻工艺窗口。
主权项：1.一种光学邻近校正方法，其特征在于，包括：提供初始版图，包括多个主图形；获得光刻工艺支持的临界间距以及接近所述临界间距的风险间距；获得每个主图形与其之具有所述风险间距的相邻主图形的数量，作为参考数量；基于参考数量，设置修正优先级规则，对主图形的修正优先级与所述参考数量呈正相关；基于所述修正优先级规则、光罩规则检查和边缘放置误差，对所述主图形进行修正处理，获得修正后版图。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 光学邻近校正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质
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