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申请/专利权人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
摘要：本发明提供一种改善终端产品电性均匀性的热场及拉晶方法，涉及重掺单晶硅拉晶技术领域，通过在所述降温上部断热材的下部设置空心层，所述降温热屏部位于所述石英坩埚的上方，所述降温上部断热材位于所述断热材部的上方，所述降温热屏部的上端与所述降温上部断热材的上方搭接，所述降温上部断热材与所述断热材部组装，以改善热场温度梯度，以使温度梯度增大，进而在拉晶过程中，晶棒在800℃‑1100℃的停留时间缩短，缺陷生长周期减短，避免已均质成核和异质成核借着过饱和析出而聚结形成的微缺陷，从而降低微缺陷密度，使得终端产品性能均匀性提高。
主权项：1.一种改善终端产品电性均匀性的热场，包括石英坩埚、加热组件、断热材部，所述加热组件位于所述石英坩埚的底部、侧部，设置在石英坩埚侧部的加热组件位于所述石英坩埚与所述断热材部之间，所述断热材部位于所述石英坩埚的周向，其特征在于：还包括降温组件，所述降温组件包括降温热屏部、降温上部断热材，所述降温上部断热材的下部设置空心层，所述降温热屏部位于所述石英坩埚的上方，所述降温上部断热材位于所述断热材部的上方，所述降温热屏部的上端与所述降温上部断热材的上方搭接，所述降温上部断热材与所述断热材部组装，以缩短晶棒在800℃-1100℃的停留时间，以降低微缺陷密度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司 改善终端产品电性均匀性的热场及拉晶方法
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