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存储器装置及其操作方法 

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申请/专利权人:三星电子株式会社

摘要:提供了存储器装置及其驱动方法。根据实施例的存储器装置可包括:第一单元,其包括第一晶体管和连接至第一晶体管并且存储对应于数据的电压的电容器;第二单元,其包括第二晶体管;电压生成电路,其将电压施加至第二晶体管的源极、栅极和漏极,并且施加至第一晶体管的栅极和背栅;测量电路,其连接至第二单元,测量从第二单元输出的电流和电压中的至少一个,并且基于测量的电流和电压的至少一个值产生泄漏值;以及监视电路,其连接至测量电路,基于泄漏值计算第二晶体管的阈电压,并且基于阈电压生成作为用于控制电压生成电路的控制信号。

主权项:1.一种存储器装置,包括:第一单元,其包括第一晶体管和连接至所述第一晶体管的电容器,所述电容器存储对应于数据的电压;第二单元,其包括第二晶体管;电压生成电路,其被配置为将对应的电压施加至所述第二晶体管的源极、栅极和漏极,并且施加至所述第一晶体管的栅极和背栅;测量电路,其连接至所述第二单元,所述测量电路被配置为测量从所述第二单元输出的电流和或电压,并且基于已测量的所述电流和或电压中的至少一个参数产生泄漏值;以及监视电路,其连接至所述测量电路,所述监视电路被配置为至少部分地基于所述泄漏值计算所述第二晶体管的阈电压,并且生成作为所述阈电压的函数的用于控制所述电压生成电路的控制信号。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 三星电子株式会社 存储器装置及其操作方法

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