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申请/专利权人：福州大学
摘要：本发明涉及一种基于光刻工艺的倒置结构钙钛矿QLED器件，包括透明导电衬底ITO以及在透明导电衬底ITO层上依次沉积的电子传输层、图案化量子点薄膜、空穴传输层、空穴注入层和金属阳极。本发明不仅克服了钙钛矿量子点与传统光刻工艺不兼容的缺点，还溶剂对功能层的影响，可以实现钙钛矿量子点的图案化和QLED器件制备。
主权项：1.一种基于光刻工艺的倒置结构钙钛矿QLED器件，其特征在于，包括透明导电衬底ITO以及在透明导电衬底ITO层上依次沉积的电子传输层、图案化量子点薄膜、空穴传输层、空穴注入层和金属阳极；所述图案化量子点薄膜制备方法包括以下步骤：S1：预先将光交联剂A添加到钙钛矿量子点溶液B中，得到溶液C；S2：在电子传输层上，将溶液C利用匀胶机旋涂成膜，并在UV灯下曝光，使曝光区域不同量子点之间配体发生光交联反应；S3：经甲苯显影得到图案化量子点薄膜；所述光交联剂A为ethane-1,2-diylbis4-azido-2,3,5,6-tetraflfluorobenzoate、1,11-Diazido-3,6,9-trioxaundecane、4,4'-Diazido-2,2'-stilbenedisulfonicaciddisodiumsalttetrahydrate中的一种；所述电子传输层的材料为ZnO纳米颗粒、掺杂金属阳离子的ZnO纳米颗粒、ZnO纳米颗粒与聚合物的混合体；所述空穴传输层的材料为TcTa、NPB、CBP、CDBP、mCBP中的一种；所述空穴注入层的材料为HAT-CN、MoO3、V2O5、WO3或ReO3中的一种；所述金属阳极的材料为银或铝。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 福州大学 基于光刻工艺的倒置结构钙钛矿QLED器件及其制备方法
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