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申请/专利权人：株式会社国际电气
摘要：本发明涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置、及记录介质，课题在于提供能够提高衬底上形成的膜的阶梯覆盖性的技术。包括：a1向衬底供给第1改性气体的工序；a2向前述衬底供给具有第1元素的第1处理气体的工序；b1向前述衬底供给第2改性气体的工序；和b2向前述衬底供给具有第2元素、且比同一条件下的前述第1处理气体更容易吸附于前述衬底的开口部侧的第2处理气体的工序，前述方法具有将a1和a2进行第1次数、将b1和b2进行第2次数，形成包含前述第1元素和前述第2元素的膜的工序，b1是在前述第2改性气体比同一条件下的前述第1改性气体更容易吸附于前述衬底的表面的条件下进行的。
主权项：1.衬底处理方法，其包括：a1向衬底供给第1改性气体的工序；a2向所述衬底供给具有第1元素的第1处理气体的工序；b1向所述衬底供给第2改性气体的工序；和b2向所述衬底供给具有第2元素、且比同一条件下的所述第1处理气体更容易吸附于所述衬底的表面的第2处理气体的工序，所述衬底处理方法具有将a1和a2进行第1次数、将b1和b2进行第2次数，形成包含所述第1元素和所述第2元素的膜的工序，b1是在所述第2改性气体比同一条件下的所述第1改性气体更容易吸附于所述衬底的表面的条件下进行的。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 株式会社国际电气 衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置、及记录介质
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