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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：本公开提供了半导体封装以及制造半导体封装的方法。一种制造半导体封装的方法可以包括：形成第一布线结构；在第一布线结构上多次涂覆高透射率光致抗蚀剂；通过曝光和显影高透射率光致抗蚀剂而在高透射率光致抗蚀剂中形成多个开口；通过用导电材料填充所述多个开口而形成多个导电柱；去除高透射率光致抗蚀剂；在第一布线结构上设置半导体芯片；形成围绕半导体芯片和所述多个导电柱的密封剂；以及在密封剂上形成第二布线结构，其中在第一布线结构和高透射率光致抗蚀剂彼此接触的部分处，高透射率光致抗蚀剂的透光率大于或等于3.2％。
主权项：1.一种制造半导体封装的方法，所述方法包括：形成第一布线结构，所述第一布线结构包括多个第一布线图案以及围绕所述多个第一布线图案的第一绝缘层，所述多个第一布线图案包括多个第一连接焊盘，所述第一布线结构包括芯片安装区域和与所述芯片安装区域相邻的外围区域；在所述第一布线结构上多次涂覆高透射率光致抗蚀剂；通过曝光和显影所述高透射率光致抗蚀剂而在所述外围区域上且在所述高透射率光致抗蚀剂中形成多个开口；通过用导电材料填充所述多个开口，在所述外围区域上形成连接到所述多个第一连接焊盘的多个导电柱；去除所述高透射率光致抗蚀剂；将半导体芯片设置在所述第一布线结构的所述芯片安装区域上；形成围绕所述半导体芯片和所述多个导电柱的密封剂；以及在所述密封剂上形成第二布线结构，所述第二布线结构包括多个第二布线图案和围绕所述多个第二布线图案的第二绝缘层，所述多个第二布线图案包括电连接到所述多个导电柱的多个第二连接焊盘，其中在所述第一布线结构接触所述高透射率光致抗蚀剂的部分处，所述高透射率光致抗蚀剂的透光率等于或大于3.2％。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 半导体封装以及制造半导体封装的方法
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