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申请/专利权人:环晟光伏(江苏)有限公司
摘要:本发明提供了一种TOPCon电池隧穿氧化层的制备方法及TOPCon电池,涉及太阳能电池的技术领域,所述制备方法包括以下步骤:将电池片放入PECVD炉管,在高温和真空条件下电离沉积初始隧穿氧化层,然后依次通入Ar、H2和N2O对初始隧穿氧化层进行电离,得到单层隧穿氧化层,任选的,依次重复沉积初始隧穿氧化层和电离初始氧化层的步骤,以沉积出叠层隧穿氧化层隧穿,解决了现有技术中TOPCon电池通过PECVD法制备隧穿氧化层时存在的氧化层致密性较差的问题,本发明提供的TOPCon电池隧穿氧化层的制备方法提升了隧穿氧化层致密性,增强了钝化效果。
主权项:1.一种TOPCon电池隧穿氧化层的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:将电池片放入PECVD炉管,在高温和真空条件下电离沉积得到初始隧穿氧化层,然后依次通入Ar、H2和N2O对初始隧穿氧化层进行电离,得到单层隧穿氧化层,任选的,依次重复沉积初始隧穿氧化层和电离初始隧穿氧化层的步骤,以沉积出叠层隧穿氧化层。
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