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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司

摘要：本发明公开了一种改善MV器件漏电的工艺集成方法，包括：步骤一、在半导体衬底上形成MV器件的第一栅极结构和LV器件的第二栅极结构。步骤二、沉积第一层侧墙材料层。步骤三、形成附加侧墙材料层。步骤四、形成第一掩膜层将MV器件形成区域覆盖以及将LV器件形成区域打开。步骤五、进行各向同性的第一次刻蚀以将LV器件形成区域的附加侧墙材料层全部去除。步骤六、进行各向异性的第二次刻蚀形成低压区第一层侧墙。步骤七、形成第二掩膜层将MV器件形成区域打开以及将LV器件形成区域覆盖。步骤八、进行各向异性的第三次刻蚀形成中压区第一层侧墙和附加侧墙。步骤九、进行第二层侧墙材料层沉积和刻蚀同时形成中压区第二层侧墙和低压区第二层侧墙。

主权项：1.一种改善MV器件漏电的工艺集成方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成MV器件的第一栅极结构和LV器件的第二栅极结构，所述第一栅极结构位于MV器件形成区域中，所述第二栅极结构位于LV器件形成区域中；所述MV器件具有第一工作电压，所述LV器件具有第二工作电压，所述第一工作电压大于所述第二工作电压；所述第一栅极结构包括依次叠加的第一栅介质层和第一栅极导电材料层；所述第二栅极结构包括依次叠加的第二栅介质层和第二栅极导电材料层；所述第一栅介质层的厚度大于所述第二栅介质层的厚度，所述第一栅介质层还延伸到所述第一栅极导电材料层覆盖区域外的所述MV器件形成区域的所述半导体衬底表面上；步骤二、沉积第一层侧墙材料层，所述第一层侧墙材料层覆盖在所述第一栅极导电材料层的顶部表面和侧面、所述第二栅极导电材料层的顶部表面和侧面以及所述第一栅极导电材料层和所述第二栅极导电材料层外的表面上；步骤三、在所述第一层侧墙材料层的表面形成附加侧墙材料层，所述附加侧墙材料层和所述第一层侧墙材料层的材料不同；步骤四、形成第一掩膜层将所述MV器件形成区域覆盖以及将所述LV器件形成区域打开；步骤五、以所述第一掩膜层为掩膜、以所述第一层侧墙材料层为停止层，对所述附加侧墙材料层进行各向同性的第一次刻蚀以将所述LV器件形成区域的所述附加侧墙材料层全部去除；步骤六、以所述第一掩膜层为掩膜对所述第一层侧墙材料层进行各向异性的第二次刻蚀，以在所述第二栅极导电材料层侧面形成低压区第一层侧墙，所述LV器件形成区域中位于所述第二栅极导电材料层顶部表面和外部的所述第一层侧墙材料层都被去除；步骤七、去除第一掩膜层并形成第二掩膜层，所述第二掩膜层将所述MV器件形成区域打开以及将所述LV器件形成区域覆盖；步骤八、以所述第二掩膜层为掩膜进行各向异性的第三次刻蚀，所述第三次刻蚀依次将所述第一栅极导电材料层顶部表面和外部的所述附加侧墙材料层、所述第一层侧墙材料层以及所述第一栅介质层去除，由剩余在所述第一栅极导电材料层侧面的所述第一层侧墙材料层组成的中压区第一层侧墙以及由剩余在所述第一栅极导电材料层侧面的所述附加侧墙材料层组成的附加侧墙；之后，去除所述第二掩膜层；步骤九、沉积第二层侧墙材料层并对所述第二层侧墙材料层进行各向异性的第四次刻蚀以在所述第一栅极导电材料层的侧面形成中压区第二层侧墙和在所述第二栅极导电材料层的侧面形成低压区第二层侧墙，由所述第一栅极导电材料层侧面的所述中压区第一层侧墙、所述附加侧墙和所述中压区第二层侧墙叠加形成中压区侧墙，由所述第二栅极导电材料层侧面的所述低压区第一层侧墙和所述低压区第二层侧墙叠加形成低压区侧墙，所述附加侧墙使所述中压区侧墙的厚度大于所述低压区侧墙的厚度，以降低所述MV器件漏电。

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