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申请/专利权人：电子科技大学

摘要：本发明属于电源管理技术领域，具体来说是涉及一种基于斜率检测的电流型膝点检测电路。本发明的电路对反馈参考电压进行微分运算产生微分电流，然后再将微分电流转化为电压与反相器翻转电压进行比较，在膝点时，反馈参考电压会迅速下掉，微分电流会迅速增加，从而使得比较器翻转，检测得到膝点。本发明能够精确检测出反馈参考电压的膝点位置，为后续的反馈参考电压的膝点电压采样提供控制信号。

主权项：1.一种基于斜率检测的电流型膝点检测电路，用于原边反馈反激式变换器膝点检测，定义原边反馈反激式变换器的反馈参考电压为VRREF，其特征在于，所述检测电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管、第十NMOS管、第十一NMOS管、第十二NMOS管、第十三NMOS管、电容、电阻、第一电流源、第二电流源、第一反相器、第二反相器、第三反相器和逻辑电路；第一PMOS管的源极接电源，其栅极和漏极互连，其漏极接第一电流源的输入端，第一电流源的输出端接地；第二PMOS管的源极接电源，其栅极接第一PMOS管的漏极，第二PMOS管的漏极接第三PMOS管的源极和第四PMOS管的源极；第三PMOS管的栅极接基准电源，其漏极接第一NMOS管的源极；第四PMOS管的栅极接电容的一端、第七PMOS管的漏极和第五NMOS管的漏极，第四PMOS管的漏极接第一NMOS管的栅极、第二NMOS管的栅极和漏极；第一NMOS管的源极接地，第二NMOS管的源极接地；电容的另一端接VRREF；第二电流源的输入端接电源，其输出端接第三NMOS管的漏极和栅极、第五NMOS管的栅极、第七NMOS管的栅极；第三NMOS管的源极接第四NMOS管的漏极和栅极、第六NMOS管的栅极、第八NMOS管的栅极；第四NMOS管源极接地；第五PMOS管的源极接电源，其栅极和漏极互连，其漏极接第七PMOS管的源极；第七PMOS管的栅极接第三PMOS管的漏极；第五NMOS管的源极接第六NMOS管的漏极，第六NMOS管的源极接地；第六PMOS管的源极接电源，其栅极接第五PMOS管的漏极，第六PMOS管的漏极接第八PMOS管的源极；第八PMOS管的栅极接第三PMOS管的漏极，第八PMOS管的漏极接第七NMOS管的漏极、第九NMOS管的栅极和漏极、第十一NMOS管的栅极；第七NMOS管的源极接第八NMOS管的漏极，第八NMOS管的源极接地；第九NMOS管的源极接第十NMOS管的栅极和漏极、第十二NMOS管的栅极，第十NMOS管的源极接地；第十一NMOS管的漏极通过电阻后接电源，第十一NMOS管的漏极还接第一反相器的输入端，其源极接第十二NMOS管的漏极，第十二NMOS管的源极接地；第二反相器的输入端接第一反相器的输出端，第三反相器的输入端接第二反相器的输出端，第三反相器的输出端接逻辑电路的输入端和第十三NMOS的漏极；第十三NMOS管的栅极接VLEB，其源极接地；所述逻辑电路为单次波提取逻辑，用于提取膝点处信号的翻转，所述第三反相器输出信号为膝点处信号，逻辑电路输出检测到的膝点电压信号。

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百度查询： 电子科技大学 一种基于斜率检测的电流型膝点检测电路