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申请/专利权人：洪启集成电路(珠海)有限公司
摘要：本发明提供一种Mg3Sb2基热电合金及其制备方法，所述Mg3Sb2基热电合金的化学式为MgaSb0.5Bi1.49Te0.01Yx，a的取值为3‑3.2；其中Mg3Sb2基热电合金为Mg、Sb、Bi、Te和Y经过混合研磨后在一定烧结温度和烧结压力下进行放电等离子体烧结得到。本发明的Mg3Sb2基热电合金中，Bi、Te的掺杂形成Mg3Sb2和Mg3Bi2固溶，从而将ZT值的极点移向室温，并通过Y掺杂在镁空位跨层迁移路径上形成阻碍，使镁空位难以迁移并在晶界处积累，提高载流子迁移效率及室温热电性能。
主权项：1.一种Mg3Sb2基热电合金，其特征在于：所述Mg3Sb2基热电合金的化学式为MgaSb0.5Bi1.49Te0.01Yx，a的取值为3-3.2；其中Mg3Sb2基热电合金为Mg、Sb、Bi、Te和Y经过混合研磨后在一定烧结温度和烧结压力下进行放电等离子体烧结得到。
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