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申请/专利权人：日产化学株式会社
摘要：提供显示高蚀刻耐性、良好的干蚀刻速度比和光学常数，对所谓的高低差基板也被覆性良好，埋入后的膜厚差小，能够形成平坦的膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。此外，提供适合于该抗蚀剂下层膜形成用组合物的聚合物的制造方法、使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂下层膜、以及半导体装置的制造方法。制作一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含碳原子数6～60的芳香族化合物A与碳原子数3～60的含氧化合物B所具有的碳氧间双键的反应生成物、以及溶剂，上述含氧化合物B在一分子中具有1个部分结构：‑CON＜或‑COO‑，上述反应生成物中，上述含氧化合物B的1个碳原子连接2个上述芳香族化合物A。
主权项：1.一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：碳原子数6～60的芳香族化合物A与碳原子数3～60的含氧化合物B所具有的碳氧间双键形成的反应生成物、以及溶剂，所述含氧化合物B在一分子中具有1个部分结构：-CON＜或-COO-，所述反应生成物中，所述含氧化合物B的1个碳原子连接2个所述芳香族化合物A，且所述芳香族化合物A为杂环化合物，所述含氧化合物B由下述式1表示或者由下述式2表示， 式1中，R11和R12为碳原子数6～20的芳基或碳原子数1～20的烷基，所述碳原子数1～20的烷基可以被氧原子或硫原子中断，可以缩合碳原子数6～20的芳基，也可以具有氧代基或碳原子数6～20的环烷基作为取代基，R11与R12可以结合而形成环，R13为氢原子、碳原子数6～20的芳基、或可以被氧原子或硫原子中断的碳原子数1～20的烷基，R21-COO-R22式2式2中，R21为碳原子数6～20的芳基、或可以被氧原子或硫原子中断的碳原子数1～20的烷基，R22为氢原子、碳原子数6～20的芳基、或可以被氧原子或硫原子中断的碳原子数1～20的烷基。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 日产化学株式会社 利用了碳氧间双键的抗蚀剂下层膜形成用组合物
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