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申请/专利权人：南京科技职业学院
摘要：本发明涉及磁性材料技术领域,尤其涉及一种基于双酰腙的镝单分子磁体材料及其制备方法。一种基于双酰腙的镝单分子磁体材料，化学式为[Dy2HL2]·2CH3OH·CH3CN，其中HL为失去三个质子的2,9‑二邻羟基苯酰腙邻菲罗啉。本发明所述基于双酰腙的镝单分子磁体材料晶体属于三斜晶系，P‑1空间群，晶胞参数为a＝12.39326Å，b＝15.055110Å，c＝15.531610Å，α＝91.0753°，β＝100.7392°，γ＝111.872619°，V＝2629.83Å3。本发明所述基于双酰腙的镝单分子磁体材料具有单分子磁体特性，且制备方法简单、方便，产率高，重现性好，成本低，有望用于新型的磁存储材料。
主权项：1.一种基于双酰腙的镝单分子磁体材料，化学式为[Dy2HL2]·2CH3OH·CH3CN,其中HL为失去三个质子的双酰腙配体2,9-二邻羟基苯酰腙邻菲罗啉，其特征在于，所述基于双酰腙的镝单分子磁体材料属于三斜晶系，P-1空间群，晶胞参数为α＝91.0753°，β＝100.7392°，γ＝111.872619°，其中，双酰腙的镝单分子磁体材料的不对称结构单元中存在二个独立的晶体学DyIII金属中心Dy1和Dy2，它们具有相似的N4O5配位环境，采用九配位方式与来自于一个双酰腙配体的4个N原子和来自于二个不同双酰腙配体的5个O原子配位；两个金属中心DyIII被三个单μ2-O原子桥连接，形成一个三角形双锥Dy2O3核，两个DyIII金属中心Dy1…Dy2的距离为
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百度查询： 南京科技职业学院 一种基于双酰腙的镝单分子磁体材料及其制备方法
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