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一种基于挠曲电效应的薄膜基底结构屈曲分析方法 

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申请/专利权人:西北工业大学

摘要:本申请公开了一种基于挠曲电效应的薄膜基底结构屈曲分析方法,涉及材料分析技术领域,包括:获取薄膜基底结构的物理数据;根据物理数据确定薄膜基底结构中薄膜的能量和基底的能量,进而确定薄膜基底结构的总能量;提取总能量中的实际参数;根据物理数据绘制屈曲关系曲线,屈曲关系曲线中包含参数阈值;比较实际参数和参数阈值,确定薄膜基底结构的屈曲状态。本申请基于薄膜和基底的总能量判断薄膜基底结构的屈曲状态,能够对薄膜基底结构进行定量的屈曲状态分析,有助于在微纳尺度上设计多功能的基于褶皱的设备,如传感器、能量采集器和柔性电子设备等。

主权项:1.一种基于挠曲电效应的薄膜基底结构屈曲分析方法,其特征在于,包括:获取薄膜基底结构的物理数据;根据所述物理数据确定所述薄膜基底结构中薄膜的能量和基底的能量,进而确定所述薄膜基底结构的总能量;提取所述总能量中的实际参数;根据所述物理数据绘制屈曲关系曲线,所述屈曲关系曲线中包含参数阈值;比较所述实际参数和参数阈值,确定所述薄膜基底结构的屈曲状态;所述薄膜的能量表示为: 其中,k表示发生屈曲后的波数,h为所述薄膜的厚度,Hb为薄膜能量密度,x和z分别表示空间笛卡尔直角坐标系的两个方向的坐标轴,表示薄膜的等效弹性模量,Ef表示薄膜的弹性模量,为薄膜的泊松比,表示薄膜平面内压缩应变,,表示电势,e31表示压电常数,a33表示介电常数,和表示位移系数,A表示振幅,,μ31表示挠曲电常数;所述基底的能量表示为: 其中,表示基底上表面法向应力,w表示面外位移,表示基底的平面应力,表示面内位移,和表示两种弹性参数,其值分别为、,、、、和表示各项的系数;所述总能量表示为: 其中,。

全文数据:

权利要求:

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