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申请/专利权人:华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要:本申请涉及半导体集成电路制造技术领域,具体涉及一种MEMS工艺光刻胶屋檐结构的制造方法。MEMS工艺光刻胶屋檐结构的制造方法包括以下步骤:在晶圆的正面涂覆形成负胶层;在负胶层的正面涂覆形成正胶层;依照屋檐结构曝光图形对正胶层进行曝光,在正胶层中形成曝光区域和遮光区域,正胶层的曝光区域和遮光区域之间的交界处为正胶层的曝光边界;显影溶解掉正胶层的曝光区域、位于正胶层曝光区域下的负胶层和正胶层遮光区域下靠近曝光边界的部分负胶层,剩余正胶层的边缘延伸超过剩余负胶层的边缘。该MEMS工艺光刻胶屋檐结构的制造方法,可以解决相关技制造出的屋檐结构形貌不可控、不稳定的问题。
主权项:1.一种MEMS工艺光刻胶屋檐结构的制造方法,其特征在于,所述MEMS工艺光刻胶屋檐结构的制造方法包括以下步骤:在晶圆的正面涂覆形成负胶层;在所述负胶层的正面涂覆形成正胶层;依照屋檐结构曝光图形对所述正胶层进行曝光,在所述正胶层中形成曝光区域和遮光区域,所述正胶层的曝光区域和遮光区域之间的交界处为正胶层的曝光边界;显影溶解掉正胶层的曝光区域、位于所述正胶层曝光区域下的负胶层和所述正胶层遮光区域下靠近曝光边界的部分负胶层,剩余正胶层的边缘延伸超过剩余负胶层的边缘。
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