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申请/专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要：本发明涉及一种利用钽插入层调节NiGe反应及NiGen‑Ge肖特基接触的方法，本发明采用金属Ta层作为插入层，在快速退火阶段Ta层的存在使Ni原子扩散变缓，使得与Ge衬底的反应更加的平衡，从而避免发生团聚现象，获得了一种均匀性良好，界面性能得到改善的金属半导体材料，且Ta插入层的存在缓解了费米能级钉扎，降低了肖特基势垒高度，同时解决了两大技术难题。
主权项：1.一种利用钽插入层调节NiGe反应的方法，其特征在于：通过在锗片表面依次生长Ta和Ni即可。
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百度查询： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种利用钽插入层调节Ni/Ge反应及NiGe/n-Ge肖特基接触的方法
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