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申请/专利权人：同济大学

摘要：本发明公开了一种低损耗、高反射率的193nm薄膜及其制备方法，包括基底、薄膜，所述薄膜设置在所述基底上；膜系结构为SubHL^nAir，其中，Sub为薄膜元件基板，Air为出射介质空气，H和L分别为14中心波长光学厚度的高折射率材料薄膜层和低折射率材料薄膜层，n为高低折射率材料的膜堆数。本发明采用上述一种低损耗、高反射率的193nm薄膜及其制备方法，能够有效抑制193nm高反射薄膜中的LaF3薄膜的结晶，进而降低反射膜的粗糙度、抑制散射损耗，并提高薄膜的反射率；而且有效提升了电子束蒸发193nmLaF3AlF3多层高反膜的反射率和成膜质量，同时制作成本低，易于推广，在紫外光刻领域具有广泛的应用前景。

主权项：1.一种低损耗、高反射率的193nm薄膜的制备方法，其特征在于：包括基底、薄膜，所述薄膜设置在所述基底上；膜系结构为SubHL^nAir，其中，Sub为薄膜元件基板，Air为出射介质空气，H和L分别为14中心波长光学厚度的高折射率材料薄膜层和低折射率材料薄膜层，n为高低折射率材料的膜堆数；所述高折射率材料薄膜层H为LaF3-AlF3混合膜，所述低折射率材料薄膜层L为AlF3薄膜；包括以下步骤：S1、选择电子束蒸发沉积设备、基底，在电子束蒸发沉积设备的镀膜腔体内部两侧对称位置分别添加晶振厚度监控仪；S2、制备高折射率材料薄膜层H，设置LaF3侧对应晶振片监控速率为0.7nms，设置AlF3侧对应晶振片监控速率为0.3nms；在蒸镀时，同时打开LaF3侧和AlF3侧挡板，采用双源电子束共蒸发沉积工艺沉积LaF3-AlF3混合膜，利用时间监控控制膜层厚度；所述步骤S2中，高折射率材料薄膜层H的物理厚度表示为48.250.7nH+0.3nL，其中nH为LaF3的折射率，nL为AlF3的折射率；S3、制备低折射率材料薄膜层L，设置AlF3侧对应晶振片监控速率为0.3nms，利用晶振监控控制膜层厚度；所述步骤S3中，低折射率材料薄膜层L的物理厚度表示为48.25，其中n为低折射率材料薄膜层L的折射率；S4、交替沉积高折射率材料薄膜层H、低折射率材料薄膜层L直至膜系结构镀完，得到La0.70Al0.30F3AlF3薄膜。

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