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申请/专利权人：哈尔滨工业大学
摘要：本发明公开了一种基于铌酸锂晶体电光效应的光强调制的方法及光开关，属于光调制器件的设计与制备技术领域。本发明以LiNbO3晶体的电光效应为基础，以1064nm的红外激光为泵浦光，实现倍频出射532nm绿光，滤波片滤去1064nm基频光，测量倍频光和转台角度关系，固定转台在某一角度，通过外加电压可以改变产生的倍频光强度，实现了对倍频激光强度的连续非机械性调制，并获得一种电压控制的光强调制开关。本发明提供的样品制作简单，非常有利于器件设计，且调制效率较优良，为晶体器件实现光强调制提供了另一种可能。
主权项：1.一种基于铌酸锂晶体电光效应的光强调制的方法，其特征在于，所述的光强调制基于光系统实现，所述光系统沿光束传播方向依次为激光器、第一偏振片、半波傅里叶透镜、铌酸锂晶体、532nm带通滤波片和第二偏振片，所述的铌酸锂晶体为沿[100]、[010]和[001]方向切割的长方体块体，建立xyz直角坐标系，其中x轴为[100]晶向且为通光方向，y轴为[010]晶向，z轴为[001]晶向且为晶体光轴方向；铌酸锂晶体与x轴垂直的两个面进行抛光处理，在铌酸锂晶体两个相对的001晶面上设置金属纳米薄膜作为电极，通过电极对铌酸锂晶体施加输入电压，铌酸锂晶体搭载在旋转转台上；所述的激光器发出的激光光束依次通过第一偏振片和半波傅里叶透镜，沿x轴方向入射至铌酸锂晶体；所述的光强调制方法包括以下步骤：步骤1，激光光束从yoz面入射，旋转转台使铌酸锂晶体沿y轴旋转，直至获得最大最小的出射倍频光强度；步骤2，调节输入电压，实现出射倍频光强度由强到弱由弱到强的调制。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 哈尔滨工业大学 一种基于铌酸锂晶体电光效应的光强调制的方法及光开关
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