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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
摘要：本发明公开了一种薄膜铌酸锂电光相位调制器及其制备方法，方法包括：提供一薄膜铌酸锂晶圆，清洗并干燥；制备薄膜铌酸锂扩散型光波导掩膜；制备薄膜铌酸锂扩散型光波导；制备相位调制区域脊型光波导掩膜；制备相位调制区域脊型光波导；制备芯片上包层；制备调制区域电极；将制备好的薄膜铌酸锂晶圆进行划片解理，将划好的薄膜铌酸锂晶圆小片两端进行抛光，完成薄膜铌酸锂电光相位调制器的制作；调制器包括：衬底、绝缘层、铌酸锂薄膜、上包层、调制电极、脊型光波导、扩散型光波导。本发明提高了调制器的调制效率，使其具备单偏振特性，减小了器件尺寸，实现了兼容现有半导体的工艺并能够批量生产。
主权项：1.一种薄膜铌酸锂电光相位调制器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：提供一薄膜铌酸锂晶圆，清洗并干燥；S2：制备薄膜铌酸锂扩散型光波导掩膜；S3：制备薄膜铌酸锂扩散型光波导；S4：制备相位调制区域脊型光波导掩膜；S5：制备相位调制区域脊型光波导；S6：制备芯片上包层；S7：制备调制区域电极；S8：将制备好的薄膜铌酸锂晶圆进行划片解理，将划好的薄膜铌酸锂晶圆小片两端进行抛光，完成薄膜铌酸锂电光相位调制器的制作。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种薄膜铌酸锂电光相位调制器及其制备方法
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