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申请/专利权人：安徽大学
摘要：本发明涉及集成电路设计技术领域，更具体的，涉及10T1C‑SRAM存算单元、存算阵列、及存算电路。本发明公开了一种10T1C‑SRAM存算单元，包括6T‑SRAM部、XOR运算部。6T‑SRAM部为经典的6T‑SRAM。XOR运算部包括2个PMOS管P3~P4、2个NMOS管N5~N6、1个电容C0。在存内计算模式下，Q、A在XOR运算部进行XOR运算，运算结果通过C0充电到LCBL上。本发明提供的10T1C‑SRAM存算单元可以克服工艺失配对充电路径的影响，保证计算输出结果的准确性。本发明解决了现有XOR运算电路易受到工艺影响产生的放电波动而导致输出不能准确识别的问题。
主权项：1.一种10T1C-SRAM存算单元，其特征在于，包括：6T-SRAM部，其设置有存储节点Q、QB，用于读、写、保持存储数据；以及XOR运算部，其包括：2个PMOS管P3~P4、2个NMOS管N5~N6、1个电容C0；P3、N5的栅极连接存储节点Q，P4、N6的栅极连接存储节点QB；P3的漏极和N6的漏极一方面通过行向开关SW0连接输入数据A，另一方面通过行向开关SW1连接地GND；P4的源极和N5的源极一方面通过行向开关SW2连接输入数据，另一方面通过行向开关SW3连接地GND；P3的源极、N5的漏极、P4的漏极、N6的源极与电容C0的一端连接；电容C0的另一端连接局部计算位线LCBL；与A为相反信号；其中，在存内计算模式下，SW0、SW2导通，进行数据输入；Q、A在XOR运算部进行XOR运算，运算结果通过C0充电到LCBL上；在数据存储模式下，SW1、SW3导通，XOR运算部不进行运算。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安徽大学 10T1C-SRAM存算单元、存算阵列、及存算电路
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