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为高和低输出功率电平提供功率放大器的方法和装置 

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申请/专利权人:德克萨斯仪器股份有限公司

摘要:本申请公开了用于为高输出功率电平和低输出功率电平提供高效率功率放大器100的方法和装置。示例装置包括第一放大器102a,用于放大来自主机设备的信号;以及将放大的信号传输至天线;第二放大器102b,用于放大来自主机设备的信号;以及将放大的信号传输至天线;第一开关110、第二开关112和第三开关114:以当第一开关110和第二开关112闭合且第三开关114断开时,以并联结构将第一放大器102a耦合到第二放大器102b;以及当第一开关110和第二开关112断开且第三开关114闭合时,以堆叠结构将第一放大器102a耦合到第二放大器102b。

主权项:1.一种用于提供放大器的装置,其包含:第一放大器,其用于:放大来自主机设备的信号;以及将放大的信号传输至天线;第二放大器,其用于:放大来自所述主机设备的所述信号;以及将放大的信号传输至所述天线;以及开关网络,其用于以并联结构或堆叠结构连接所述第一放大器和所述第二放大器,其中所述开关网络包括:第一开关、第二开关和第三开关,其用于:当所述第一开关和所述第二开关闭合并且所述第三开关断开时,以并联结构将所述第一放大器耦合到所述第二放大器;以及当所述第一开关和所述第二开关断开并且所述第三开关闭合时,以堆叠结构将所述第一放大器耦合到所述第二放大器。

全文数据:为高和低输出功率电平提供高效率功率放大器的方法和装置技术领域本公开总体涉及功率放大器,并且更具体地涉及为高输出功率电平powerlevel和低输出功率电平提供高效率功率放大器的方法和装置。背景技术一些电子设备包括一个或更多个收发器以使用射频RF信号与其他设备通信。这种收发器包括RF功率放大器,以将对应于数据的低功率RF信号转换为高功率信号,该高功率信号驱动收发器的天线以将数据传输至其他设备。在一些示例中,RF功率放大器可以包括两个或更多个反相放大器,这些反相放大器被串联堆叠以减少用于低输出功率应用的总输出电压。发明内容某些示例提供一种为高输出功率电平和低输出功率电平提供高效率的装置。示例装置包括第一放大器,用于放大来自主机设备的信号,以及将放大的信号传输至天线。示例装置进一步包括第二放大器,用于放大来自主机设备的信号以及将放大的信号传输至天线。示例装置进一步包括第二放大器,用于放大来自主机设备的信号,以及将放大的信号传输至天线。示例装置进一步包括第一开关、第二开关和第三开关,以当第一开关和第二开关闭合且第三开关断开时,以并联结构将第一放大器耦合到第二放大器,以及,当第一开关和第二开关断开且第三开关闭合时,以堆叠结构将第一放大器耦合到第二放大器。附图说明图1是示例RF功率放大器的图示说明。图2A是图1在并联结构下的示例RF功率放大器的图示说明。图2B是图1在堆叠结构下的示例RF功率放大器的图示说明。图3是替代示例RF功率放大器的图示说明。图4A是并联结构下的图3的示例RF功率放大器的图示说明。图4B是堆叠结构下的图3的示例RF功率放大器的图示说明。图5是图1和或图3的示例开关控制器的框图。图6是示例机器可读指令的流程图表示,示例机器可读指令可以被执行以实施图5的示例开关控制器,用于以并联结构或堆叠结构来构造图1和或图3的示例RF功率放大器。图7是经构造以执行图6的示例机器可读指令以控制图1、图3和或图5的示例开关控制器的处理器平台的框图。这些图并未按比例绘制。只要有可能,在整个一个或更多个附图和随附的书面说明书中将使用相同的参考标记来指代相同或相似的部件。具体实施方式一些电子设备包括低功率收发器,以通过传输射频RF信号与其他设备通信。例如,智能手表或移动电话可包括:收发器,以将数据传输至其他设备。这种设备可以是小型的和或电池供电的。相应地,RF收发器应该限制汲取的电流以节省功率并且具有有限的元件以节省硅空间。RF收发器包括功率放大器,其将来自主机设备例如,智能手表、移动电话等的处理器的低电压周期信号放大到足够大的高电压周期信号,以经由天线无线地传输。RF功率放大器是收发器的最大且最消耗功率的元件之一。相应地,电子设备制造商和或用户期望具有有效率的RF功率放大器的有效率的RF收发器,该RF功率放大器消耗较少电流并需要较少空间。用于传输数据的RF功率放大器可以使用1需要较高输出功率电平的低功率无线电应用和标准和或2需要较低输出功率电平并且节约功率的低功率无线电应用和标准来操作。例如,可以使用低输出功率电平例如,节省功率来执行在短距离上传输少量数据,而可以使用高输出功率电平例如,快速地且恰当地转移数据来执行在远距离上传输大量数据。RF功率放大器的输出功率P对应于电压摆幅均方根电压V和负载阻抗R例如,P=V^2R。最大电压摆幅受电源例如,Vdd限制。为了最大化高输出功率操作的输出功率和效率,期望具有尽可能高的电压摆幅。然而,为了以较低输出电平进行传输,需要降低输出电压的振幅,从而导致较低的效率。相应地,为了提高低输出功率应用的效率,可以使用堆叠来驱动放大器进入饱和,并且最大化将被限制为Vdd2例如,用于两个经堆叠的放大器的输出振幅,从而提高效率。堆叠包括串联耦合功率放大器的两个或更多个反相放大器,从而减小输出电压摆幅。附加地,这种堆叠的反相放大器的输入和输出可以耦合在一起以便偏置电流可以被再用reuse,从而降低来自每个反相放大器的电压摆幅并且驱动反相放大器进入压缩以提高效率。然而堆叠功率放大器对应于用于高输出功率应用的较小功率。本文中公开的示例为高输出功率电平和低功率输出电平提供高效率功率放大器。用于提供高效率功率放大器的一种传统技术包括:功率放大器,其包括DC-DC转换器以减小用于低输出功率应用的电源。然而,这种传统的技术需要昂贵的外部元件和大量的硅空间。另一种传统技术包括使用可编程无源元件来增加匹配网络的阻抗例如,匹配功率放大器输出的阻抗和天线的馈线。然而,这种传统技术在网络中引入了额外的损耗,其导致以高输出功率的较差的效率。本文中公开的示例需要最小的、廉价的元件以为高输出功率电平和低输出功率电平提供高效率功率放大器,从而节省成本和硅空间。本文中所公开的示例提供一种具有两个或更多个放大反相器的RF功率放大器,该两个或更多个放大反相器可以通过开关网络例如,开关组的控制被并联耦合例如,用于高输出功率应用或可以被堆叠例如,用于低功率应用。例如,使用本文中公开的示例,并联结构是在高例如,8分贝毫瓦dBm输出功率下是有效率的,而堆叠结构在低例如,0dBm输出功率下是有效率的。替代性地,任何尺寸放大器可以被配置为堆叠的和并联的,以提高低输出功率应用和高输出功率应用的效率例如,取决于开关网络的控制。以这种方式,通过使用开关网络从并联到堆叠来调整结构,本文中所公开的示例能够将高输出功率所需的电流减小到用于低输出功率应用的较低电流水平,从而提供高输出功率和低输出功率的高效率。图1说明了示例RF功率放大器100,其能够实现用于高输出功率电平和低输出功率电平的高效率。图1的示例RF功率放大器100包括:示例的两个示例放大反相器102a-b、示例滤波器104a-b、示例P沟道金属氧化物场效应PMOS晶体管106a-b、示例N沟道金属氧化物场效应NMOS晶体管108a-b、包括开关110、112、114和示例开关控制器116的示例开关网络。图1的示例放大反相器102a-b接收来自主机设备的输入信号、反相并放大输入信号以及将被反相且放大的信号输出到天线。例如,当主机设备将经由天线传输数据时,主机设备可以将周期信号传输至示例RF功率放大器100,以在信号经由天线传输至另一个设备之前增加信号的功率。示例滤波器104a-b接收和过滤来自主机设备的输入信号例如,作为高通过滤波器,以将正确的DC偏置提供到示例PMOS晶体管106a-b和NMOS晶体管108a-b的栅极。当主机设备将周期信号传输至输入端时,周期信号被用于控制对应于示例PMOS晶体管106a-b和NMOS晶体管108a-b的示例补偿晶体管CMOS结构。例如,当输入信号是低电压时,低电压被施加到PMOS晶体管106a-b和NMOS晶体管108a-b的栅极,从而启动示例PMOS晶体管106a-b,并且禁用示例NMOS晶体管108a-b。以这种方式,示例输出电压被增大例如,使用Vdd。当输入信号是高电压时,高电压被施加到PMOS晶体管106a-b和NMOS晶体管108a-b的栅极,从而禁用示例PMOS晶体管106a-b,并且启动示例NMOS晶体管108a-b。以这种方式,示例输出电压被短接到地,从而将输出电压降低至0V。在一些示例中,放大反相器102a-b包括耦合电容器以过滤掉高频噪声。如上文所描述的,将功率放大器并联放置对于期望最大输出功率的高输出功率应用是高效的。然而,堆叠功率放大器通过限制例如,减小由堆叠结构限制的最大输出振幅来提高低输出功率电平的效率。相应地,图1的示例开关网络110、112、114可以被利用例如,启动或禁止以并联或以堆叠方式构造两个示例放大反相器102a-b。例如,当第一示例开关110和第二示例开关112闭合且第三示例开关114断开,示例放大反相器102a-b被并联构造用于高输出功率操作。当第一示例开关110和第二示例开关112断开且第三示例开关114闭合,示例放大反相器102a-b被堆叠用于低输出功率操作。在一些示例中,由于开关110、112、114被暴露于不同的电压,示例开关110、112、114可以是不同的开关类型。例如,第一示例开关110可以是PMOS晶体管,第二示例开关112可以是NMOS晶体管,并且第三示例开关114可以对应于例如,包括PMOS和NMOS晶体管两者的传输门,每个开关是足够大的以保持串联电阻较低。下面结合图2A-图2B进一步描述示例RF功率放大器100并联堆叠结构。图1的示例开关控制器116控制例如,断开或闭合开关网络的示例开关110、112、114,以将示例RF功率放大器100转换为高输出功率模式或低输出功率模式。例如,如果主机设备是移动电话或可穿戴设备例如,智能手表,则主机设备可期望用于高输出功率电平应用的高输出功率模式,以在远距离上传输数据和或通过合理的时间量传输大文件例如,用于文件共享、软件升级等。附加地,主机设备可以期望用于低输出功率电平应用的较低输出功率模式,以在传输数据时节省功率。相应地,示例开关控制器116与主机设备接合interface以确定期望哪种输出功率模式并基于期望的模式控制示例开关110、112、114。例如,主机设备可以控制寄存器例如配置寄存器的位,以对应于输出模式例如,‘1’用于高输出功率模式和‘0’用于低输出功率模式。在这种示例中,开关控制器116基于存储在寄存器中的值控制开关。下面结合图5进一步描述示例开关控制器116。图2A和图2B说明分别在高输出功率模式例如,并联下和在低输出功率模式例如,堆叠下的图1的示例RF功率放大器100。图2A和图2B的示例RF功率放大器100包括示例放大反相器102a-b、示例PMOS晶体管106a-b、示例NMOS晶体管108a-b以及包括图1的示例开关110、112、114的示例开关网路。图2A的示例RF功率放大器100以高输出功率并联模式被构造。在这种高输出功率模式下,图1的示例开关控制器116闭合第一示例开关110和第二示例开关112,并且断开第三示例开关114,从而将示例PMOS晶体管106a-b的源极一起耦合到Vdd并且将示例NMOS晶体管108a-b的源极一起耦合到接地。示例反相放大器102a-b的这种并联结构提供最大输出电压摆幅用于高效率、高输出功率模式。图2B的示例RF功率放大器100以低输出功率堆叠模式被构造。在这种低输出功率模式下,图1的示例开关控制器110闭合第一示例开关110和第二示例开关112,并且断开第三示例开关114,从而将示例NMOS晶体管108a的源极耦合到示例PMOS晶体管106b的源极。示例反相放大器102a-b的这种堆叠结构允许偏置电流被再用。再用偏置电流对应于降低来自示例反相放大器102a-b中的每个的电压摆幅,从而允许反相放大器102a-b被驱动进入压缩以提高低输出功率模式下的效率。图3说明替代示例RF功率放大器300,其能够实现对于高输出功率电平和低输出功率电平两者的高效率。图1的示例RF功率放大器300包括示例的两个示例放大反相器302a-n、包括示例开关304、306、308、310、312、314的示例开关网络以及图1的示例开关控制器116。图3的示例RF功率放大器300包括多个反相放大器302a-n,以实施多个堆叠和或多个并联构造的功率放大器。尽管示例RF功率放大器300包括三个反相放大器302a-n,但是在示例RF功率放大器300中可以利用任何数量的反相放大器。通过示例开关控制器116来控制例如,断开或闭合图3的开关网络的示例开关304、306、308、310、312、314,以生成用于示例RF功率放大器300的并联例如,用于高输出功率模式或堆叠例如,用于低输出功率模式结构。例如,为了并联构造示例放大反相器302a-n,示例开关控制器116闭合包括示例开关304、306、308、310的第一组开关,并且断开包括示例开关312、314的第二组开关。为了堆叠构造示例放大反相器302a-n,示例开关控制器116断开包括示例开关304、306、308、310的第一组开关,并且闭合包括示例开关312、314的第二组开关。如果示例RF功率放大器300包括附加的例如,多于三个反相放大器,则可以利用附加的开关以将附加的反相放大器连接到并联堆叠结构。在这样的示例中,开关控制器116可以控制这种附加的开关。可以使用图3的示例RF功率放大器300进一步将输出电压降低至较低的电压。例如,如果电源是1.8伏特Vdd并且堆叠两个放大反相器,导致输出电压降低至0.9V例如,对于两个堆叠的放大器为Vdd2,可以利用三个放大反相器设计以致使输出电压降低至0.6V例如,对于三个堆叠的放大器为Vdd3。下面结合图4A和图4B进一步描述示例RF功率放大器300的并联堆叠结构。图4A和图4B说明在高输出功率模式下例如,在并联结构下和在低输出功率模式例如,在堆叠结构下图3的示例RF功率放大器300。图4A和图4B的示例RF功率放大器300包括图3的示例放大反相器302a-n和示例开关304、306、308、310、312、314。图4A的示例RF功率放大器300以高输出功率并联模式被构造。在这种高输出功率模式下,图3的示例开关控制器116闭合第一组开关,该第一组开关包括示例开关开关304、306、308、310,并且断开第二组开关,该第二组开关包括示例开关312、314,从而将反相放大器302a-n的示例PMOS晶体管的源极一起耦合到Vdd并且将反相放大器302a-n的示例NMOS晶体管的源极一起耦合到接地。示例反相放大器302a-n的这种并联结构提供最大输出功率用于高效率、高输出功率模式。图4B的示例RF功率放大器300以低输出功率堆叠模式被构造。在这种低输出功率模式下,图3的示例开关控制器116断开第一组开关,该第一组开关包括示例开关开关304、306、308、310,并且闭合第二组开关,该第二组开关包括示例开关312、314,从而以堆叠结构耦合示例反相放大器202a-n。示例反相放大器302a-n的这种堆叠结构允许偏置电流被再用。再用偏置电流对应于降低来自示例反相放大器302a-n中的每个的电压摆幅,从而允许反相放大器302a-n被驱动进入压缩以提高在低输出功率模式下的效率。图5是图1和或图3的示例开关控制器116的框图,本文所公开的,以在图1和或图3的示例RF功率放大器100、300中提供用于高输出功率电平和低输出功率电平两者的高效率。示例开关控制器116包括示例主机设备接口500、示例输出功率模式判定器determiner502以及示例开关接口504。当结合图1和或图3的示例RF功率放大器100、300描述示例开关控制器116,可以利用示例开关控制器116来控制任何类型的功率放大器的开关。图5的示例主机设备接口500与正传输要被放大的输入信号的主机设备接合,以确定使用高输出功率还是低输出功率来放大输入信号。在一些示例中,主机设备可以例如,经由示例主机设备接口500将指令直接传输至示例开关控制器116。在一些示例中,主机设备可以基于期望的输出功率电平设置寄存器的位。在这种示例中,主机设备接口500读取存储在寄存器中的值,使得示例输出功率模式判定器502可以确定输出功率电平。寄存器可以位于主机设备和或在示例开关控制器116中。图5的示例输出功率模式判定器502基于来自主机设备的指令确定输出功率电平。例如,输出功率模式判定器502基于与主机设备直接通信和或存储在寄存器中的值来确定输出功率电平。在一些示例中,输出功率模式判定器可基于其他因素确定输出功率。例如,如果主机设备是电池供电的设备,则当电池的电荷低于电荷量阈值时,示例输出功率模式判定器502可以默认为低输出功率模式。图5的示例开关接口504将信号传输至图1-图4A的示例开关网络例如,对应于示例开关110、112、114、304、306、308、310、312、314。例如,开关接口504可以将第一电压传输至开关110、112、114、304、306、308、310、312、314中的一个或更多个以断开一个或更多个开关,并且将第二电压传输至示例开关110、112、114、304、306、308、310、312、314中的一个或更多个以闭合一个或更多个开关。在一些示例中,开关接口504将第一控制信号传输至第一组开关,并且第二控制信号传输至第二组开关,使得示例RF功率放大器100、300可以并联构造或者以堆叠配置构造,如上面结合图2A-图2B和图4A-图4B中所描述的。当在图5中说明了实施图1和图3的示例开关控制器116的示例方式,可以以任何其他方式组合、划分、重新布置、省略、去除和或实施在图5中说明的元素、过程和或设备中的一个或更多个。此外,可以通过硬件、软件、固件和或硬件、软件和或固件的任何组合实施图5的示例主机设备接口500、示例输出功率模式判定器502、示例开关接口504和或更一般地示例开关控制器116。因此,例如,可以通过一个或更多个模拟电路或一个或更多个数字电路、逻辑电路、一个或更多个可编程处理器、一个或更多个专用集成电路ASCI、一个或多个可编程逻辑设备PLD和或一个或更多个现场可编程逻辑设备FPLD实施图5的任何示例主机设备接口500、示例输出功率模式判定器502、示例开关接口504和或更一般地示例开关控制器116。当阅读本专利的任何装置或系统权利要求以涵盖纯粹软件和或固件实施方式时,图5的至少一个示例主机设备接口500、示例输出功率模式判定器502、示例开关接口504和或更一般地示例开关控制器116在此明确地被定义为包括非暂时性计算机可读存储设备或存储盘,诸如存储器、数字多功能磁盘DVD、光盘CD、蓝光磁盘等,包括软件和或固件。此外,除了图5中说明的那些之外或替代图5中说明的那些,图5的示例开关控制器116可以包括一个或更多个元素、过程和或设备,和或可以包括任何或所有所说明的元素、过程和设备中的一个以上。图6中示出了用于实施图5的开关控制器116的示例机器可读指令的流程图表示。在该示例中,机器可读指令包含通过处理器执行的程序,诸如在下面结合图7中讨论的示例处理器平台700中所示的处理器712。程序可以被体现embody在存储在非暂时性计算机可读存储介质诸如CD-ROM、软盘、硬盘驱动器、数字多功能磁盘DVD、蓝光磁盘或与处理器712相关联的存储器上的软件中,但是整个程序和或其部件替代性地由除了处理器712之外的设备执行和或体现在固件或专用硬件中。此外,尽管参考图6中所说明的流程图描述了示例程序,可以替代性地使用实施示例开关控制器116的许多其他方法。例如,可以改变框的执行的顺序,和或可以改变、除去或组合所描述的框中的一些。附加地或替代性地,可以通过构造的一个或更多个硬件电路例如,分立和或集成的模拟和或数字电路系统、现场可编程门阵列FPGA、专用集成电路ASIC、比较器、运算放大器op-amp、逻辑电路等实施框中的任何框或所有框以执行相应的操作而不执行软件或固件。如上所述,可以使用存储在非暂时性计算机和或机器可读介质诸如硬盘驱动器、闪存、只读存储器、光盘、数字通用磁盘、高速缓存cache、随机存取存储器和或任何其他存储设备或存储磁盘上的编码指令例如,计算机和或机器可读指令实施图6的示例过程,在该非暂时性计算机和或机器可读介质中对于任何持续时间都存储信息例如,对于长期的时间周期、永久地、对于短暂的情况下、对于临时缓冲和或对于信息的高速缓存。如本文中所使用的,术语非暂时性计算机可读介质明确地被限定为包括任何类型的计算机可读存储设备和或存储磁盘,并且被限定为排除传播信号并且排除传输介质。“包括”和“包含”以其所有形式和时态在本文中用作开放式的术语。因此,每当权利要求列出任何下列任何形式的“包括”或“包含”例如,comprises、includes,comprising,including等时,应理解为可以呈现附加的元素、术语等,而不超出相应权利要求的范围。如本文中所使用的,当短语“至少”被用作在权利要求的前序部分中的过渡术语时,它是开放式的,其与术语“包含”和“包括”是开放式的方式相同。图6是示例机器可读指令的示例流程图600表示,该示例机器可读指令可以通过图1的示例开关控制器116来执行以构造图1-图4B的示例RF功率放大器100、300作为并联功率放大器或堆叠功率放大器。尽管结合图1和或图5的示例开关控制器116描述图6的指令,可以通过任何类型的开关控制器利用示例指令来控制在任何类型的RF功率放大器中的开关。在框602中,示例主机设备接口500从主机设备接收期望的输出功率电平例如,高输出功率或低输出功率。在一些示例中,主机设备接口500经由来自主机设备的指令接收期望的输出功率电平。在一些示例中,主机设备将值写入寄存器例如,主机设备和或开关控制器116的配置寄存器中的位并且示例主机设备接口500读取寄存器中的位的值。在框604处,示例输出功率模式判定器502确定输出功率电平是否对应于高输出功率。示例输出功率模式判定器502可以基于寄存器中的位的值和或基于来自主机设备的明确的指令确定输出功率电平。如果示例输出功率模式判定器502确定输出功率电平对应于高输出功率框604:是,则示例开关接口504将一个或更多个信号传输至示例开关例如,示例开关110、112、114、304、306、308、310、312、314以在并联的结构例如,对应于高效率、高输出功率放大器下构造示例RF功率放大器100、300的放大器框606。例如,对于图1的示例RF功率放大器100,示例开关接口504闭合第一示例开关110和第二示例开关112并且断开第三示例开关114。对于图3的RF功率放大器300,示例开关接口504闭合第一组开关,该第一组开关包括示例开关304、306、308、310,并且断开第二组开关,该第二组开关包括示例开关312、314。如果示例输出功率模式判定器502确定输出功率电平不对应于高输出功率框604:否,则示例开关接口503将一个或更多个信号传输至示例开关例如,示例开关110、112、114、304、306、308、310、312、314以在堆叠结构例如,对应于高效率低输出功率放大器下构造示例RF功率放大器100、300的放大器框608。例如,对于图1的示例RF功率放大器100,示例开关接口504断开第一示例开关110和第二示例开关112并且闭合第三示例开关114。对于图3的RF功率放大器300,示例开关接口504断开第一组开关,该第一组开关包括示例开关304、306、308、310,并且闭合第二组开关,该第二组开关包括示例开关312、314。图7是能够执行图6的指令以实施图2的示例开关控制器116的示例处理器平台700的框图。处理器平台700可以是,例如服务器、个人计算机、移动设备例如,蜂窝电话、智能手机、平板电脑诸如iPadTM、个人数字助理PDA、互联网家电、DVD播放器、CD播放器、数字视频记录仪、蓝光播放器、游戏机、个人视频记录仪、机顶盒或任何其他类型计算设备。所说明的示例的处理器平台700包括处理器712。所说明的示例的处理器712是硬件。例如,处理器712可以由来自任何期望的系列或制造商的一个或更多个集成电路、逻辑电路、微处理器或控制器来实施。硬件处理器可以是基于半导体例如,基于硅的设备。在该示例中,处理器实施示例主机设备接口500、示例输出功率模式判定器502和或示例开关接口504。所说明的示例的处理器712包括本地存储器713例如,高速缓存。所说明的示例的处理器712经由总线718与包括易失性存储器714和非易失性存储器716的主存储器通信。易失性存储器714可以由同步动态随机存取存储器SDRAM、动态随机存取存储器DRAM、RAMBUS动态随机存取存储器RDRAM和或任何其他期望类型的存储设备来实施。非易失性存储器716可以由闪存存储器和或任何其他期望类型的存储器设备来实施。对主存储器714、716的访问由存储器控制器来控制。所说明的示例的处理器平台700还包括接口电路720。接口电路720可以由任何类型的接口标准来实现,诸如以太网接口、通用串行总线USB和或PCIexpress接口。在所说明的示例中,一个或更多个输入设备722被连接到接口电路720。一个或更多个输入设备722允许用户将数据和或命令输入到处理器712中。一个或更多个输入设备可以通过例如音频传感器、麦克风、相机静止的或者视频、键盘、按钮、鼠标、触摸屏、跟踪板、轨迹球、isopoint和或语音识别系统来实施。一个或更多个输出设备724还可以被连接到所说明的示例的接口电路720。例如,可通过显示设备例如,发光二极管LED、有机发光二极管OLED、液晶显示器、阴极射线管显示器CRT、触摸屏、触觉输出设备、打印机和或扬声器来实施输出设备724。所说明的示例的接口电路720通常包括图形驱动器卡、图形驱动器芯片和或图形驱动器处理器。所说明的示例的接口电路720还包括通信设备,诸如发射器、接收器、收发器、调制解调器和或网络接口卡以便于经由网络726例如,以太网连接、数字用户线DSL、电话线、同轴电缆、蜂窝电话系统与外部机器例如,任何种类的计算设备的数据交换。所说明的示例的处理器平台700还包括用于存储软件和或数据的一个或更多个大容量存储设备728。这种大容量存储设备728的示例包括软盘驱动器、硬盘驱动磁盘、光盘驱动器、蓝光磁盘驱动器、RAID系统和数字通用磁盘DVD驱动器。图6的编码指令732可以被存储在大容量存储设备728中、易失性存储器714中、非易失性存储器716中和或可移除有形计算机可读存储介质诸如CD或DVD上。从前述内容中,将理解的是已经公开了示例方法、装置和制品,其为高输出功率电平和低输出功率电平提供高效率功率放大器。本文所公开的示例提供RF功率放大器,其可以被并联构造用于高输出功率应用中的高效率,或者可以经由控制一组开关被构造为堆叠放大器用于低输出功率应用中的高效率。以这种方式,可以用最低限度的附加的元件针对高输出功率和低输出功率优化效率,从而降低成本和空间。尽管本文已经描述了某些示例方法、装置和制品,但是其他实施方式是可能的。本专利涵盖的范围不限于此。相反,本专利涵盖完全落入本专利的权利要求的范围内的所有方法、装置和制品。

权利要求:1.一种装置,其包含:第一放大器以:放大来自主机设备的信号;以及将放大的信号传输至天线;第二放大器以:放大来自所述主机设备的所述信号;以及将放大的信号传输至所述天线;以及开关网络,用于以并联结构和堆叠结构连接所述第一放大器和所述第二放大器。2.根据权利要求1所述的装置,其中所述开关网络包括:第一开关、第二开关和第三开关,其用于:当所述第一开关和所述第二开关闭合并且所述第三开关断开时,以并联结构将所述第一放大器耦合到所述第二放大器;以及当所述第一开关和所述第二开关断开并且所述第三开关闭合时,以堆叠结构将所述第一放大器耦合到所述第二放大器。3.根据权利要求2所述的装置,进一步包括:第三放大器以:放大来自所述主机设备的所述信号;以及将放大的信号传输至所述天线;第四开关、第五开关和第六开关,其用于:当所述第四开关和所述第五开关闭合并且所述第六开关断开时,以并联结构将所述第三放大器耦合到所述第一放大器和所述第二放大器;以及当所述第四开关和所述第五开关断开并且所述第六开关闭合时,以堆叠结构将所述第三放大器耦合到所述第一放大器和所述第二放大器。4.根据权利要求2所述的装置,进一步包括:开关控制器,以基于来自所述主机设备的指令控制所述第一开关、所述第二开关和所述第三开关。5.根据权利要求2所述的装置,进一步包括:开关控制器,以基于存储在寄存器中的值控制所述第一开关、所述第二开关和所述第三开关,所述值对应于高输出功率应用或低输出功率应用。6.根据权利要求2所述的装置,其中所述第三开关对应于传输门。7.根据权利要求1所述的装置,其中所述并联结构对应于高输出功率应用的高效率。8.根据权利要求1所述的装置,其中所述堆叠结构对应于低输出功率应用的高效率。9.根据权利要求1所述的装置,其中所述堆叠结构对应于第一最大输出功率,所述第一最大输出功率小于对应于所述并联结构的第二最大输出功率。10.一种方法,包含:接收来自主机设备的指令;当所述指令对应于高输出功率应用时,控制开关网络以并联结构将第一放大器耦合到第二放大器;以及当所述指令对应于低输出功率应用时,控制所述开关网络以堆叠结构将所述第一放大器耦合到所述第二放大器。11.根据权利要求10所述的方法,其中控制所述开关网络以所述并联结构将所述第一放大器耦合到所述第二放大器包括闭合第一开关和第二开关并且断开第三开关。12.根据权利要求10所述的方法,其中控制所述开关网络以所述堆叠结构将所述第一放大器耦合到所述第二放大器包括断开所述第一开关和所述第二开关并且闭合所述第三开关。13.根据权利要求10所述的方法,进一步包括:当所述指令对应于所述高输出功率应用时,控制所述开关网络以并联结构将第三放大器耦合到所述第一放大器和所述第二放大器;以及当所述指令对应于所述低输出功率应用时,控制所述开关网络以堆叠结构将所述第三放大器耦合到所述第一放大器和所述第二放大器。14.根据权利要求10所述的方法,其中所述开关网络的控制是基于由所述主机设备存储在寄存器中的值,所述值对应于所述高输出功率应用或所述低输出功率应用。15.根据权利要求10所述的方法,其中所述并联结构对应于高输出功率应用的高效率。16.根据权利要求10所述的方法,其中所述堆叠结构对应于低输出功率应用的高效率。17.根据权利要求10所述的方法,其中所述堆叠结构对应于第一最大输出功率,所述第一最大输出功率小于对应于所述并联结构的第二最大输出功率。18.一种有形计算机可读存储介质,其包含指令,当所述指令在被执行时致使机器至少:接收来自主机设备的指令;当所述指令对应于高输出功率应用时,控制开关网络以并联结构将第一放大器耦合到第二放大器;以及当所述指令对应于低输出功率应用时,控制所述开关网络以堆叠结构将所述第一放大器耦合到所述第二放大器。19.根据权利要求19所述的计算机可读存储介质,其中,所述指令致使所述机器控制所述开关网络,以通过闭合第一开关和第二开关并且断开第三开关来以所述并联结构将所述第一放大器耦合到所述第二放大器。20.根据权利要求20所述的计算机可读存储介质,其中所述指令致使所述机器控制所述开关网络,以通过断开所述第一开关和所述第二开关并且闭合所述第三开关来以所述堆叠结构将所述第一放大器耦合到所述第二放大器。21.根据权利要求19所述的计算机可读存储介质,其中所述指令致使所述机器以:当所述指令对应于所述高输出功率应用时,控制所述开关网络以并联结构将第三放大器耦合到所述第一放大器和所述第二放大器;以及当所述指令对应于所述低输出功率应用时,控制所述开关网络以堆叠结构将所述第三放大器耦合到所述第一放大器和所述第二放大器。22.根据权利要求19所述的计算机可读存储介质,其中所述指令致使所述机器基于由所述主机设备存储在寄存器中的值控制所述开关网络,所述值对应于所述高输出功率应用或所述低输出功率应用。23.根据权利要求19所述的计算机可读存储介质,其中所述并联结构对应于高输出功率应用的高效率。24.根据权利要求19所述的计算机可读存储介质,其中所述堆叠结构对应于低输出功率应用的高效率。25.根据权利要求19所述的计算机可读存储介质,其中所述堆叠结构对应于第一最大输出功率,所述第一最大输出功率小于对应于所述并联结构的第二最大输出功率。

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