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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：提供了一种非易失性存储装置及其编程方法。所述编程方法包括：将第一编程电压施加到选择的字线；将验证电压施加到选择的字线以验证存储器单元的编程状态；基于验证结果，将第一位线电压施加到与存储器单元中的第一存储器单元连接的第一位线，将编程禁止电压施加到与存储器单元中的第二存储器单元连接的第二位线，将第二编程电压施加到选择的字线。第一位线电压高于地电压且低于编程禁止电压。基于操作温度、执行的编程循环的次数、包括存储器单元的存储器块的编程擦除循环的次数和存储器块的物理特性中的至少一种对第一位线电压进行补偿。
主权项：1.一种包括与选择的字线连接的存储器单元的非易失性存储装置的编程方法，所述编程方法包括：将第一编程电压施加到选择的字线；将验证电压施加到选择的字线以验证存储器单元的编程状态；基于验证结果将第一位线电压施加到与存储器单元中的第一存储器单元连接的第一位线，基于验证结果将编程禁止电压施加到与存储器单元中的第二存储器单元连接的第二位线，将第二编程电压施加到选择的字线，其中，第一位线电压高于地电压且低于编程禁止电压，其中，通过基于操作温度控制位线截止信号，来对第一位线电压进行补偿，其中，位线截止信号提供到与第一位线连接的开关，其中，当操作温度是第一操作温度时，第一位线电压被补偿到第一电平，并且其中，当操作温度是与第一操作温度不同的第二操作温度时，第一位线电压被补偿到与第一电平不同的第二电平。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 非易失性存储装置及其编程方法
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