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申请/专利权人：西安晟光硅研半导体科技有限公司

摘要：本发明公开了一种微射流激光加工头垂直度的调整方法，涉及微射流激光加工技术领域。该方法包括：在微射流激光加工头的下方布置沿水平方向延伸的测试样板；在所述测试样板上切割出第一切缝和第二切缝；确定所述第一切缝和所述第二切缝的相对位置；基于所述第一切缝和所述第二切缝的相对位置，沿第二方向对所述微射流激光加工头的垂直度进行调整；在所述测试样板上切割出第三切缝和第四切缝；确定所述第三切缝和所述第四切缝的相对位置；基于所述第三切缝和所述第四切缝的相对位置，沿所述第一方向对所述微射流激光加工头的垂直度进行调整；所述第一方向和所述第二方向垂直。本发明提供的微射流激光加工头垂直度的调整方法的操作简单，精度较高。

主权项：1.一种微射流激光加工头垂直度的调整方法，其特征在于，包括：步骤S11、在微射流激光加工头的下方布置沿水平方向延伸的测试样板；步骤S12、利用所述微射流激光加工头在所述测试样板上切割出第一切缝和第二切缝；所述第一切缝和所述第二切缝为所述微射流激光加工头在不同相对高度下在所述测试样板上切割出的沿第一方向延伸的切缝；步骤S13、确定所述第一切缝和所述第二切缝的相对位置；步骤S14、基于所述第一切缝和所述第二切缝的相对位置，沿第二方向对所述微射流激光加工头的垂直度进行调整；步骤S15、利用所述微射流激光加工头在所述测试样板上切割出第三切缝和第四切缝；所述第三切缝和所述第四切缝为所述微射流激光加工头在不同高度下切割出的沿第二方向延伸的切缝；步骤S16、确定所述第三切缝和所述第四切缝的相对位置；步骤S17、基于所述第三切缝和所述第四切缝的相对位置，沿所述第一方向对所述微射流激光加工头的垂直度进行调整；其中，所述第一方向和所述第二方向相互垂直；所述步骤S12包括：步骤S121、利用所述微射流激光加工头沿第一起点在所述测试样板上沿所述第一方向切割出所述第一切缝；步骤S122、将所述微射流激光加工头沿竖直方向进行升高或者降低；步骤S123、利用所述微射流激光加工头沿第二起点在所述测试样板上沿所述第一方向切割出所述第二切缝；所述第一起点和所述第二起点沿竖直方向的投影重合；所述步骤S15包括：步骤S151、利用所述微射流激光加工头沿第三起点在所述测试样板上沿所述第二方向切割出所述第三切缝；步骤S152、将所述微射流激光加工头沿竖直方向进行升高或者降低；步骤S153、利用所述微射流激光加工头沿第四起点在所述测试样板上沿所述第二方向切割出所述第四切缝；所述第三起点和所述第四起点沿竖直方向的投影重合；其中，所述第一切缝和所述第二切缝的长度不同，所述第三切缝和所述第四切缝的长度不同。

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