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申请/专利权人：联合微电子中心有限责任公司
摘要：本发明公开了一种硅光调制器及其制造方法，硅光调制器包括脊型结构，相邻的P型掺杂区和N型掺杂区位于脊型结构内；P型掺杂区包括从脊型结构的中部向边部依次设置、掺杂浓度依次增大的第一P型掺杂区、第二P型掺杂区和第三P型掺杂区，第一P型掺杂区的掺杂浓度沿脊型结构的轴向逐渐增大；N型掺杂区包括从脊型结构的中部向边部依次设置、掺杂浓度依次增大的第一N型掺杂区、第二N型掺杂区和第三N型掺杂区，第一N型掺杂区的掺杂浓度沿脊型结构的轴向逐渐增大。本发明的硅光调制器在沿脊型结构的轴向上保持PN结性能参数的稳定，保证特征阻抗的稳定和微波折射率的稳定，提高调制效率、带宽和整体性能。
主权项：1.一种硅光调制器，其特征在于，包括：脊型结构，相邻的P型掺杂区110和N型掺杂区120位于所述脊型结构内；所述P型掺杂区110包括从脊型结构的中部向边部依次设置的第一P型掺杂区111、第二P型掺杂区112和第三P型掺杂区113，第一P型掺杂区111、第二P型掺杂区112和第三P型掺杂区113的掺杂浓度依次增大，所述第一P型掺杂区111的掺杂浓度沿所述脊型结构的轴向逐渐增大；所述N型掺杂区120包括从脊型结构的中部向边部依次设置的第一N型掺杂区121、第二N型掺杂区122和第三N型掺杂区123，第一N型掺杂区121、第二N型掺杂区122和第三N型掺杂区123的掺杂浓度依次增大，所述第一N型掺杂区121的掺杂浓度沿所述脊型结构的轴向逐渐增大；沿所述脊型结构的轴向，输入信号在单位长度内电压衰减比例与所述第一P型掺杂区111和所述第一N型掺杂区121的掺杂浓度增加的比例呈正比；所述第一N型掺杂区121和第一P型掺杂区111的掺杂浓度的数量级均为1*e17～1*e18cm-3，所述第二N型掺杂区122和第二P型掺杂区112的掺杂浓度的数量级均为1*e18cm-3，所述第三N型掺杂区123和第三P型掺杂区113的掺杂浓度的数量级均为1*e19～1*e20cm-3。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 联合微电子中心有限责任公司 硅光调制器及其制造方法
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