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申请/专利权人：广州润芯信息技术有限公司
摘要：本发明涉及一种系统级封装芯片内部温升测量方法，实现该方法的装置包括待测射频系统级封装芯片及评估板、信号发生器、增益测量装置、直流源、衰减器，该方法包括：在当前室温下获取芯片的功率器件处于静态或准静态时输出通道输出的小信号增益频率响应曲线以及芯片的功率器件发热达到热平衡后输出通道输出的增益频率响应曲线，并计算小信号增益频率响应曲线与增益频率响应曲线之间的频偏量；根据频率温漂系数计算芯片输出通道热敏器件FBAR滤波器位置的温升信息；通过热阻网络模型或热仿真软件反推拟合芯片内部各位置的温升信息。本发明能够更准确地定位和了解系统级通信芯片内部温升情况，可应用于类似封装环境的各类芯片内部温升估算中。
主权项：1.一种系统级封装芯片内部温升测量方法，实现该方法的装置包括待测射频系统级封装芯片及评估板、信号发生器、增益测量记录装置、直流源、衰减器，其特征在于，该方法包括以下步骤：在当前室温下获取芯片的功率器件处于静态或准静态时输出通道输出的小信号增益频率响应曲线以及芯片的功率器件发热达到热平衡后输出通道输出的增益频率响应曲线，并计算小信号增益频率响应曲线与增益频率响应曲线之间的频偏量；根据频率温漂系数计算芯片输出通道热敏器件FBAR滤波器位置的温升信息；通过热阻网络模型或热仿真软件反推拟合芯片内部各位置的温升信息。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 广州润芯信息技术有限公司 一种系统级封装芯片内部温升测量方法
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