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申请/专利权人:北京奇峰蓝达光学科技发展有限公司
摘要:本申请涉及晶体生长技术领域,具体公开了一种大尺寸氟化钙晶体的生长方法及氟化钙晶体。本申请提供的大尺寸氟化钙晶体的生长方法包括以下步骤:S1:将氟化钙晶体装入晶体炉坩埚,升温使氟化钙晶体熔化后,打开坩埚顶部挡板;S2:然后将晶体炉内温度升高100‑500℃,待氟化钙晶体重新全部熔化,继续升高温度50‑150℃;S3:接着将晶体炉静置10‑72h,同时向晶体炉内充入氩气,并抽真空至炉体内压力为11‑50kpa;本申请还提供了利用上述生长方法获得的氟化钙晶体。本申请提供的大尺寸氟化钙晶体的生长方法能够降低氟化钙晶体中的气泡含量,减少氟化钙晶体的缺陷,有效提高氟化钙晶体的质量。
主权项:1.一种大尺寸氟化钙晶体的生长方法,其特征在于,包括以下步骤:S1:将氟化钙晶体装入晶体炉坩埚,升温使氟化钙晶体熔化后,打开坩埚顶部挡板;S2:然后将晶体炉内温度升高100-500℃,待氟化钙晶体重新全部熔化,继续升高温度50-150℃;S3:接着将晶体炉静置10-72h,同时向晶体炉内充入氩气,并抽真空至炉体内压力为11-50kpa。
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