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申请/专利权人：南京大学
摘要：本发明公开了一种具备超高等效迁移率的硅纳米线栅控晶体管器件的制备方法，包括利用光刻技术定义栅极图案，并利用蒸发、溅射工艺沉积导电栅极连接超密周期性回转结构的晶态纳米线；在所述晶态纳米线‑导电栅极连接结构上沉积介质层；定位沉积沟道层，所述超密周期性回转结构的晶态纳米线位于所述沟道层下方，对所述沟道层具有栅控作用；定位源极、漏极区域，沉积导电源极层、漏极层得到由硅纳米线栅控的具备超高等效迁移率的晶体管器件。本发明利用纳米线材料栅控沟道层，能够获得兼具高集成度和高迁移率的TFT，有望突破长期以来显示技术中超高分辨率和超快刷新率技术矛盾的关键瓶颈，引领显示技术向多维度共同发展。
主权项：1.一种超密周期性回转结构纳米线的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1）在刚性或柔性衬底上使用PECVD或PVD技术制备绝缘介质层；2）利用光刻、电子束直写或掩膜工艺图案化引导超密周期性回转结构沟道，利用干法刻蚀工艺刻蚀所述绝缘介质层形成图形化的引导沟道，刻蚀深度为200±50nm；3）在刻蚀完成的超密周期回转结构沟道末端，通过光刻工艺定位催化金属区域，并利用蒸发、溅射工艺定位沉积催化金属层，或利用旋涂、溅射工艺定位沉积对应催化金属氧化层；4）在高温真空PECVD环境下，使用还原性等离子体处理上述催化金属层或催化金属氧化层，使其转变为分离的催化金属纳米颗粒；5）降低温度至催化金属颗粒熔点以下，使用非晶半导体前驱体薄膜覆盖整个上述衬底结构表面，并将温度升高至催化纳米金属颗粒熔点以上，使催化纳米金属颗粒重新熔化，在前端吸收非晶半导体前驱体层，而在后端淀积出超密周期性回转结构的晶态纳米线；6）剩余的非晶半导体前驱体薄膜由氢等离子体、ICP或者RIE刻蚀工艺去除，获得具备超密周期性结构的晶态纳米线。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京大学 利用纳米线获得超高等效迁移率晶体管的方法与器件
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