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等离子体成膜装置和等离子体成膜方法 

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申请/专利权人:东京毅力科创株式会社

摘要:提供了一种通过等离子体在基板上的期望位置进行局部成膜的技术。等离子体成膜装置具备:腔室、在腔室中支撑基板的基板支撑部、向基板支撑部上的区域供给等离子体化的第一气体的第一喷嘴、向腔室内供给与第一气体反应的第二气体的第二喷嘴和使第二喷嘴相对于基板支撑部进行相对移动的移动部,第一气体与第二气体在腔室内反应,在被所述基板支撑部支撑的基板的规定位置形成膜,规定位置构成为基于第二喷嘴相对于基板支撑部的相对位置来确定。

主权项:1.一种等离子体成膜装置,具备:腔室;基板支撑部,在所述腔室内支撑基板;第一喷嘴,向所述基板支撑部上的区域供给等离子体化的第一气体;第二喷嘴,将与所述第一气体反应的第二气体供给到所述腔室内,所述第一气体与所述第二气体在所述腔室内反应,在被所述基板支撑部支撑的基板的规定位置形成膜;和移动部,使所述第二喷嘴相对于所述基板支撑部进行相对移动,所述规定位置构成为基于所述第二喷嘴相对于所述基板支撑部的相对位置来确定。

全文数据:

权利要求:

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