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申请/专利权人：安徽国风新材料股份有限公司;安徽国风新材料技术有限公司
摘要：本发明属于聚酰亚胺薄膜材料技术领域，具体涉及一种高导热低热膨胀系数聚酰亚胺膜、制备方法及应用；所述制备方法包括以下步骤：S1、将聚乙烯亚胺加到SiO2分散液中搅拌均匀，经离心、干燥后得到P‑SiO2；S2、对氮化硼粉体进行煅烧，冷却后分散在去离子水中，经离心、干燥得到N‑BN；S3、将P‑SiO2分散到去离子水中得到P‑SiO2分散液，将N‑BN分散到去离子水中得到N‑BN分散液，再将P‑SiO2分散液加入到N‑BN分散液中，经搅拌、离心、干燥得到P‑SiO2N‑BN填料；S4、将二胺单体溶于有机溶剂；然后加入P‑SiO2N‑BN填料，再加入二酐单体，搅拌反应，制得含P‑SiO2N‑BN的聚酰胺酸；S5、对含P‑SiO2N‑BN的聚酰胺酸进行真空消泡处理，然后流延成膜，再分段热亚胺化处理，冷却后即得高导热低热膨胀系数聚酰亚胺薄膜。
主权项：1.一种高导热低热膨胀系数聚酰亚胺膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：S1、将聚乙烯亚胺加到SiO2分散液中搅拌均匀，经离心、干燥后得到P-SiO2；S2、对氮化硼粉体进行煅烧，冷却后分散在去离子水中，再经离心、干燥得到N-BN；S3、将P-SiO2分散到去离子水中得到P-SiO2分散液，将N-BN分散到去离子水中得到N-BN分散液，再将P-SiO2分散液加入到N-BN分散液中，经搅拌、离心、干燥得到P-SiO2N-BN填料；S4、将二胺单体溶于有机溶剂；然后加入P-SiO2N-BN填料，再加入二酐单体，搅拌反应，制得含P-SiO2N-BN的聚酰胺酸；S5、对含P-SiO2N-BN的聚酰胺酸进行真空消泡处理，然后流延成膜，再分段热亚胺化处理，冷却后即得高导热低热膨胀系数聚酰亚胺薄膜。
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