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申请/专利权人：力特半导体(无锡)有限公司
摘要：公开了用于半导体器件制造的通态峰值电压降低的方法，和用于降低在晶圆中所制造的半导体器件的通态峰值电压的技术。提供有衬底层。提供隔离结构以将半导体器件与晶圆中的其它半导体器件横向地隔离。衬底层中形成盆状结构。提供基极层，使得基极层被设置在衬底层之下。基极层包括具有相关联的有源区的阳极，该相关联的有源区包括衬底层中的漂移区。盆状结构被设置在有源区内部，使得盆状结构的存在减小了漂移区的厚度。
主权项：1.一种在晶圆中制造半导体器件的方法，所述方法包括：提供衬底层；提供隔离结构，所述隔离结构将所述半导体器件与所述晶圆中的其它半导体器件横向地隔离；在所述衬底层中形成盆状结构；以及提供被设置在所述衬底层之下的基极层，所述基极层包括具有相关联的有源区的阳极，所述相关联的有源区包括所述衬底层中的漂移区，其中，所述盆状结构被设置在所述有源区内部，使得所述盆状结构的存在减小了所述漂移区的厚度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 力特半导体(无锡)有限公司 用于半导体器件制造的通态峰值电压降低的方法
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