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申请/专利权人：西安紫光国芯半导体股份有限公司
摘要：本申请提供一种三维芯片及其制备方法、电子设备，三维芯片包括第一功能层以及与第一功能层三维连接的第二功能层；其中，第一功能层具有M个第一极限曝光区域；第二功能层具有N个第二极限曝光区域；其中，M、N均为大于或等于2的整数。具体的，本申请提供的三维芯片中，第一功能层具有M个第一极限曝光区域，第二功能层具有N个第二极限曝光区域，由于每个极限曝光区域均通过一光刻母版图案化形成，以此，本申请提供的三维芯片的尺寸更大，能够设置更多的功能单元，且第一功能层和第二功能层三维连接在一起，第一功能层和第二功能层的互联高度很低，使得信号传输通道数据延迟降低，极大的提高了数据传输速度，从而有利于提高产品性能。
主权项：1.一种三维芯片，其特征在于，所述三维芯片包括第一功能层以及与所述第一功能层三维连接的第二功能层；其中，所述第一功能层具有M个第一极限曝光区域；所述第二功能层具有N个第二极限曝光区域；其中，M、N均为大于或等于2的整数。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安紫光国芯半导体股份有限公司 三维芯片及其制备方法、电子设备
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