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申请/专利权人：芜湖协鑫集成新能源科技有限公司

摘要：本申请公开一种指交叉背接触太阳能电池的制备方法，制备方法包括：硅片清洗、双面抛光；生长第一隧穿氧化层、第一多晶硅层；硼扩形成P型掺杂多晶硅层、背面BSG；激光去第一区域背面BSG；去绕镀；生长第二隧穿氧化层、第二多晶硅层；磷扩形成N型掺杂多晶硅层、背面PSG层；激光去第二区域背面PSG；去绕镀；用SF6、O2、Cl2的混合气体等离子体，对硅片的正面制绒；使用体积比为BOE：H2O2：H2O＝1：2：3的混合溶液进行绒面优化；生长Al2O3膜或者SiO2膜，然后生长氮化硅层与Al2O3膜或SiO2膜形成钝化层；丝网印刷、烧结。本申请制绒过程对掩膜要求低，制备的电池对短光波反射率低，转换效率高。

主权项：1.一种指交叉背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：将N型硅片放置在质量浓度40％～60％的H2O2溶液中进行表面油污的清洗；在质量浓度40％～50％的KOH溶液中进行双面抛光处理；在HClHF混酸液中进行碱液的中和、金属离子及氧化层的清洗；完成水洗、热烘干处理；S2：将清洗完的N型硅片放入PLCVD设备中，在500℃～700℃条件下生长一层第一隧穿氧化层；在550℃～650℃条件下于第一隧穿氧化层表面生长一层第一多晶硅层；S3：将N型硅片放入高温扩散设备中进行背面硼扩散，形成P型掺杂多晶硅层，并在P型掺杂多晶硅层表面沉积一层背面BSG层；S4：对背面BSG层进行激光开槽，去除第一区域的背面BSG层；S5：去除N型硅片上绕镀的正面BSG层、正面P型掺杂多晶硅层、侧面P型掺杂多晶硅层，第一区域的P型掺杂多晶硅层、第一区域的第一隧穿氧化层和第一区域的N型硅片背面扩散有硼元素的部分；S6：将清洗完的N型硅片放入PLCVD设备中，于N型硅片的背面第一区域内，在500℃～700℃条件下生长一层第二隧穿氧化层；在550℃～650℃条件下于第二隧穿氧化层表面生长一层第二多晶硅层；S7：将N型硅片放入高温扩散设备中进行背面磷扩散，形成N型掺杂多晶硅层，并在N型掺杂多晶硅层表面沉积一层背面PSG层；S8：对背面PSG层进行激光开槽，去除第二区域的背面PSG层；S9：去除N型硅片上绕镀的正面PSG层、正面N型掺杂多晶硅层、侧面N型掺杂多晶硅层，并去除第二区域的N型掺杂多晶硅层、第二区域的第二隧穿氧化层；S10：将N型硅片放置在等离子刻蚀设备内，室温25℃下，对等离子刻蚀设备抽真空，保持等离子刻蚀设备真空度100mtorr～1000mtorr，通入100sccm～1000sccmSF6、100sccm～5000sccmO2和100sccm～2000sccmCl2的混合气体等离子体，对N型硅片的正面进行等离子刻蚀，形成微纳米绒面，刻蚀时间为1min～100min；S11：使用体积比为BOE：H2O2：H2O＝1：2：3的混合溶液对制绒后的N型硅片进行绒面优化，反应时间6min～8min，反应温度40℃，然后按顺序进行水洗-H洗-水洗-HCl洗-水洗，以去除N型硅片表面的氧化层或金属杂质；S12：将清洗完成的N型硅片放入PECVD设备中，在N型硅片的正面和背面分别生长一层Al2O3膜或者SiO2膜，然后生长一层氮化硅层与Al2O3膜或者SiO2膜形成钝化层；S13：丝网印刷、烧结和测试分选。

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