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申请/专利权人：苏州悉芯射频微电子有限公司

摘要：本发明涉及射频集成电路领域，具体涉及一种射频低噪声放大器，包括LNA信号通路、Bypass信号通路及逻辑电路，LNA信号通路、Bypass信号通路并联，在LNA信号通路输入端添加陷波电路，在Bypass信号通路中间添加调谐电路；在Bypass信号通路和LNA信号通路中，各偏置电阻与逻辑电路输出端口连接，电源VDD为逻辑电路和放大电路提供电源，控制信号VEN对电路进行工作模式切换。VDD利用D‑mode源极增压电路与隔离管为LNA模式增加隔离度。本发明有效改善Bypass模式下的插损与功率线性度。解决了LNA与Bypass的集成存在的两通道之间信号隔离度差的问题。

主权项：1.一种射频低噪声放大器，其特征在于：包括LNA信号通路、Bypass信号通路及逻辑电路，其中Bypass信号通路包括开关管M5、开关管M6、电容C10、电感L3、偏置电阻R12与偏置电阻R13，开关管M5的源极连接射频输入端口RF_IN，开关管M5的漏极连接开关管M6的源极，开关管M6的漏极连接隔直电容C8，并经过隔直电容C8接入输出端口RF_OUT；偏置电阻R12的一端连接开关管M5的栅极，另一端与逻辑电路的输出端Vb2连接，偏置电阻R13的一端连接开关管M6的栅极，另一端与逻辑电路的输出端Vb2连接；稳压电阻R9连接在开关管M6的源极与漏极之间，稳压电阻R10连接在开关管M5的源极与漏极之间；电容C10与电感L3并联构成谐振电路，谐振电路一端接地，另一端连接开关管M5与开关管M6的连接处；LNA信号通路包括隔离管M3、隔离管M4、隔直电容C2、电感L2、隔直电容C1、放大管M1、放大管M2、微带电感ML1、偏置电阻R6、分压电阻R7、分压电阻R8、偏置电阻R11与偏置电阻R14，其中，隔离管M3的源极与射频输入端口RF_IN连接，隔离管M4的漏极通过隔直电容C5连接输出端口RF_OUT，偏置电阻R11的一端与隔离管M3的栅极连接，另一端连接逻辑电路的输出端Vb1，偏置电阻R14的一端与隔离管M4的栅极连接，另一端连接逻辑电路的输出端Vb1，隔离管M4的漏极与源极之间连接偏置电阻R4；隔直电容C2与电感L2组成陷波电路，陷波电路一端连接隔直电容C1与隔离管M3的漏极的连接处，另一端接地，隔直电容C1的另一端连接放大管M1的栅极，放大管M1的源极通过微带电感ML1接地；放大管M1的漏极与放大管M2的源极连接，放大管M2的漏极通过扼流电感L1与电源VDD连接；分压电阻R7一端连接放大管M2的漏极，另一端与分压电阻R8串联接地，偏置电阻R6的一端连接在分压电阻R7与分压电阻R8之间，另一端连接在放大管M2的栅极，滤波电容C7一端接放大管M2的栅极，另一端接地；隔离管M4的源极通过隔直电容C4连接分压电阻R7。

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