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申请/专利权人：中国人民解放军国防科技大学;天津先进技术研究院
摘要：本申请涉及一种系统级封装传导发射行为建模方法、装置及设备。首先通过芯片引脚发出的噪声并结合S参数提取来对SiP芯片内的瞬态电流活动进行建模，提出了精确描述瞬态电流活动的功率分配网络，该功率分配网络充分考虑了SiP芯片的晶体振荡器、芯片引脚以及封装的作用，从而建立了晶体振荡器功率分配子网络、芯片引脚功率分配子网络和封装功率分配子网络，能够准确的对SiP芯片的传导发射行为进行表征，然后精确的功率分配网络与内部活动模块集成后，可以在高级设计系统执行瞬态模拟，从而可以实现传导发射行为预测。本发明解决了目前瞬态电流活动难以测量的问题。
主权项：1.一种系统级封装传导发射行为建模方法，其特征在于，所述方法包括：构建SiP芯片的传导发射行为模型；所述传导发射行为模型包括：功率分配网络和内部活动模块；根据所述SiP芯片的S参数测量结果，分别构建所述传导发射行为模型的晶体振荡器功率分配子网络、芯片引脚功率分配子网络和封装功率分配子网络；将所述晶体振荡器功率分配子网络、芯片引脚功率分配子网络、封装功率分配子网络与内部活动模块进行集成，完成SiP芯片的发射行为建模。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国人民解放军国防科技大学 天津先进技术研究院 一种系统级封装传导发射行为建模方法、装置及设备
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