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申请/专利权人：华南理工大学;松山湖材料实验室
摘要：本发明公开一种1D3D卤化物钙钛矿梯度异质结的制备方法及其应用。制备方法包括：S1，配制卤化物钙钛矿前驱体溶液；S2，将钙钛矿前驱体溶液旋涂于基底上，退火处理得到3D钙钛矿薄膜；S3，将有机铵盐配体溶于异丙醇溶液中，充分搅拌得到配体溶胶；S4，将配体溶胶旋涂于3D钙钛矿薄膜上；S5，将所得薄膜退火处理，得到1D3D钙钛矿异质结薄膜。本发明的1D3D卤化物钙钛矿梯度异质结制备简单，可通过改变有机盐配体阴离子种类来调节1D钙钛矿在3D钙钛矿薄膜表面的含量、渗入深度和分布梯度。将1D3D钙钛矿梯度异质结作为吸光层应用于钙钛矿太阳能电池，可以同时提升钙钛矿太阳能电池的光电转化效率和稳定性。
主权项：1.一种1D3D钙钛矿梯度异质结的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1将碘甲脒、氯甲胺、碘化铅加入DMFDMSO混合溶剂中，充分搅拌，得到钙钛矿前驱体溶液；2将步骤1所得钙钛矿前驱体溶液旋涂于基底上，并在旋涂结束前滴加反溶剂氯苯，然后在空气气氛中退火，得到3D钙钛矿薄膜；3将四丁基铵盐TBAX加入到异丙醇溶剂中，充分搅拌，得到有机盐配体溶液；4将步骤3所得的配体溶液旋涂于步骤2所得的3D钙钛矿薄膜表面；5将步骤4所得薄膜退火处理，得到1D3D钙钛矿异质结薄膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华南理工大学 松山湖材料实验室 一种1D/3D卤化物钙钛矿梯度异质结的制备方法及其应用
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