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申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
摘要：本申请实施例公开了一种半导体器件及其制作方法、存储器及存储系统。所述方法包括：提供堆叠层，所述堆叠层包括交替堆叠的层间牺牲层和层间绝缘层，所述堆叠层包括沿第一方向分布的核心区和台阶区；形成栅缝隙，所述栅缝隙沿第二方向贯穿所述堆叠层并沿所述第一方向延伸，所述第一方向与所述第二方向相交叉；在所述栅缝隙中填充牺牲层；去除所述台阶区的栅缝隙中的牺牲层；通过所述台阶区的栅缝隙，去除所述台阶区的部分层间牺牲层；去除所述核心区的栅缝隙中的牺牲层；通过所述核心区的栅缝隙，去除所述核心区的层间牺牲层。本申请实施例能够提高接触结构的工艺窗口，且避免影响半导体器件的电性能。
主权项：1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：提供堆叠层，所述堆叠层包括交替堆叠的层间牺牲层和层间绝缘层，所述堆叠层包括沿第一方向分布的核心区和台阶区；形成栅缝隙，所述栅缝隙沿第二方向贯穿所述堆叠层并沿所述第一方向延伸，所述第一方向与所述第二方向相交叉；在所述栅缝隙中填充牺牲层；去除所述台阶区的栅缝隙中的牺牲层；通过所述台阶区的栅缝隙，去除所述台阶区的部分层间牺牲层；去除所述核心区的栅缝隙中的牺牲层；通过所述核心区的栅缝隙，去除所述核心区的层间牺牲层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 半导体器件及其制作方法、存储器及存储系统
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