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申请/专利权人：连城凯克斯科技有限公司

摘要：本发明属于单晶炉技术领域，具体的说是一种单晶炉石墨坩埚提升装置，包括提升结构，提升结构的外侧设有炉体，炉体的内部从下往上依次设有提升结构、坩埚、调节装置、入料结构和导流筒；入料结构包括：储料筒，储料筒设在炉体的侧壁，储料筒的内部用于放置多晶硅；输送管道，输送管道设在储料筒的下端，且输送管道与储料筒相连通，输送管道的另一端伸至储料筒的内部；提升结构包括：抬升轴。通过设置调节装置，可以使坩埚在抬升的过程中，将坩埚的降温与下一次使用的多晶硅原料进行预热处理同步进行，使得在进行下一次的硅单晶生产，需要将坩埚进行抬升时，不仅此时多晶硅原料已经预热完成，且坩埚也已经进行了降温处理。

主权项：1.一种单晶炉石墨坩埚提升装置，其特征在于：包括提升结构（2），该石墨坩埚提升装置设在炉体（1）的内部，所述炉体（1）的内部从下往上依次设有提升结构（2）、坩埚（4）、调节装置（5）、入料结构（3）和导流筒（6）；所述入料结构（3）包括：储料筒（31），所述储料筒（31）设在炉体（1）的侧壁，储料筒（31）的内部用于放置多晶硅；输送管道（32），所述输送管道（32）设在储料筒（31）的下端，且输送管道（32）与储料筒（31）相连通，输送管道（32）的另一端伸至储料筒（31）的内部；所述提升结构（2）包括：抬升轴（21），所述抬升轴（21）在炉体（1）的底部滑动；托盘（22），所述托盘（22）固定连接在抬升轴（21）的上表面，且托盘（22）的上表面放置有坩埚（4）；所述调节装置（5）包括：放料框（504），所述放料框（504）设在炉体（1）的内部靠近导流筒（6）的一端，且放料框（504）的底部为倾斜状，放料框（504）的内壁底部开设有一周槽口；料槽口（505），所述放料框（504）的内部开设有料槽口（505），料槽口（505）设在输送管道（32）的下方；阻挡环（511），所述阻挡环（511）在放料框（504）的内壁滑动，且阻挡环（511）的初始位置位于放料框（504）内壁底部槽口的位置，且阻挡环（511）与槽口抵接；连接臂（501），所述连接臂（501）的一端套在抬升轴（21）的圆弧面；第一螺杆（502），所述第一螺杆（502）转动连接在炉体（1）的内部靠近抬升轴（21）的一端，且连接臂（501）的另一端与第一螺杆（502）相啮合；连接辊（503），所述连接辊（503）固定连接在第一螺杆（502）的上端；齿轮扣（507），所述齿轮扣（507）固定连接在连接辊（503）的圆弧面；第二螺杆（520），所述放料框（504）靠近阻挡环（511）的一侧转动连接有第二螺杆（520），且第二螺杆（520）与阻挡环（511）相啮合；啮合齿轮套（521），所述第二螺杆（520）的下端圆弧门固定连接有啮合齿轮套（521）；转动框架（508），所述转动框架（508）转动连接在放料框（504）的下端；抵接齿扣（513），若干个所述抵接齿扣（513）设在转动框架（508）的内部，且抵接齿扣（513）与啮合齿轮套（521）相啮合，抵接齿扣（513）与齿轮扣（507）相啮合；移动槽（512），所述放料框（504）内壁靠近阻挡环（511）的一端开设有移动槽（512）；滑动块（517），所述滑动块（517）设在阻挡环（511）的侧壁靠近放料框（504）的一端，且滑动块（517）在移动槽（512）的内壁滑动；通气口（506），所述放料框（504）的内壁开设有通气口（506）；出气弧形抵接条（509），所述放料框（504）的内壁靠近通气口（506）的一端滑动连接有出气弧形抵接条（509）；入气弧形抵接条（526），所述放料框（504）的内壁靠近第二螺杆（520）的一端滑动连接有入气弧形抵接条（526），且出气弧形抵接条（509）与入气弧形抵接条（526）的初始位置将盖住通气口（506）；啮合齿轮轴（510），所述放料框（504）的内部转动连接有啮合齿轮轴（510），且啮合齿轮轴（510）与出气弧形抵接条（509）和入气弧形抵接条（526）二者均啮合。

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