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申请/专利权人：华中科技大学

摘要：本申请属于超导磁体技术领域，具体公开了一种超导磁体室温加工尺寸和位置的获取方法，S100：以超导线室温尺寸进行超导线圈电磁设计，获得励磁后超导线圈尺寸和位置；S201‑S202：以S100算得数据设计骨架，对磁体加载历史力学分析，提取超导线圈尺寸和位置变化以及励磁后超导线尺寸；S300：以获得的数据更新S100；S400：以步骤S202、S300等的数据反推步骤S300中励磁后超导线圈对应的绕制前超导线圈尺寸和位置；S500：对步骤S400的成果做力学分析，获得励磁后超导线圈尺寸和位置；S600：对步骤S300和步骤S500的励磁后超导线圈尺寸和位置的误差与容差比较，进行S300‑S500的数据迭代，确定超导磁体的室温加工尺寸。本申请能够降低超导线的尺寸、超导线圈尺寸和位置变化对磁场均匀度的影响。

主权项：1.一种超导磁体室温加工尺寸和位置的获取方法，其特征在于，包括以下步骤：S100：根据超导线的室温尺寸进行超导线圈电磁设计，获得励磁后超导线圈的尺寸和位置；S201：根据励磁后超导线圈的尺寸和位置设计对应的骨架，以该设计为基础，对超导线圈和骨架进行绕制、冷却和励磁三个过程的应力和应变分析，判断磁体结构是否满足设计要求，如满足则进行下一步，否则回到步骤S100重新进行超导线圈电磁设计；S202：获得绕制、冷却和励磁后超导线圈的形变，以此推算获得励磁后超导线的尺寸；S300：根据获得的所述励磁后超导线尺寸重新进行超导线圈电磁设计；S400：根据获得的励磁后超导线圈的形变、步骤S300获得的新的电磁设计以及超导线的室温尺寸反推得到步骤S300中励磁后超导线圈对应的绕制前超导线圈尺寸和位置；S500：对步骤S400获得的超导线圈室温尺寸和位置进行力学分析，获得绕制、冷却和励磁后的超导线圈尺寸和位置；S600：判断步骤S300和步骤S500的励磁后超导线圈尺寸和位置的误差是否小于容差，若是，则确认最终超导磁体的室温加工尺寸；若否，则提取步骤S500的励磁后超导线圈的形变，以步骤S500获得的励磁后超导线尺寸作为新的尺寸，重复步骤S300-S500，直至满足条件；所述步骤S100包括：S110：对预布置线圈区域进行二维网格剖分，并对DSV表面和杂散场约束圆柱体表面进行均匀目标点剖分；S120：根据二维网格和目标点的坐标，获得网格电流环在目标点处产生的磁场；S130：根据网格体积和0-1变量，建立以所有导体体积为最小的目标函数；S140：根据目标函数和约束条件建立线性规划数学模型；S150：对所述线性规划数学模型进行求解获得非零电流分布图，建立非线性规划数学模型，将非零电流分布图中的非零电流簇转换成矩形螺线管线圈。

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