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一种一低两高多端口基站天线 

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申请/专利权人:江苏泰科微通讯科技有限公司

摘要:本发明属于基站天线技术领域,具体涉及一种一低两高多端口基站天线,包括底板,底板的两侧分别设有反射板一和反射板二,底板上设有彼此平行或重叠的低频辐射天线阵列、高频辐射天线阵列一和高频辐射天线阵列二,低频辐射天线阵列包括若干个低频振子,高频辐射天线阵列一包括若干个高频振子一,高频辐射天线阵列二包括若干个高频振子二;低频振子和高频振子一阵列成一条直线,等距分布在底板上,靠近反射板一,部分高频振子一嵌入低频振子;高频振子二阵列成一条直线,等距分布在底板上,靠近反射板二。本发明在底板上同时设置低频辐射天线阵列、高频辐射天线阵列一和高频辐射天线阵列二,该多端口天线可同时支持一个低频和两个高频,辐射性能好。

主权项:1.一种一低两高多端口基站天线,包括底板(1),所述底板(1)的两侧分别设有反射板一(21)和反射板二(22),其特征在于:所述底板(1)上设有彼此平行或重叠的低频辐射天线阵列、高频辐射天线阵列一和高频辐射天线阵列二,所述低频辐射天线阵列包括若干个低频振子(3),所述高频辐射天线阵列一包括若干个高频振子一(4),所述高频辐射天线阵列二包括若干个高频振子二(5);所述低频振子(3)和高频振子一(4)阵列成一条直线,等距分布在底板(1)上,靠近反射板一(21),部分所述高频振子一(4)嵌入低频振子(3);所述高频振子二(5)阵列成一条直线,等距分布在底板(1)上,靠近反射板二(22),所述高频辐射天线阵列一的中心频率为f2,所述高频振子一(4)对应的反射板一(21)的反射面的长度为d1,高度为h1;所述d1为f2的0.7-1.2倍波长,所述h1为f2的0.13-0.2倍波长,所述低频辐射天线阵列的中心频率为f1,所述高频辐射天线阵列二的中心频率为f3;所述低频振子(3)对应的反射板一(21)的反射面的长度为d2,高度为h1+15mm;所述d2为f1的0.5-0.8倍波长;所述反射板二(22)的长度为d3,高度为h2,所述d3大于等于高频辐射天线阵列二的长度,所述h2为f3的0.13-0.2倍波长,所述高频振子一(4)的两侧还设有反射板三(23),所述反射板三(23)到高频振子一(4)的距离为d4,所述d4为f2的0.2-0.5倍波长;所述反射板三(23)的长度为d5,高度为h3,所述d5为f2的0.7-1.1倍波长,所述h3为f2的0.13-0.2倍波长,所述高频辐射天线阵列二在远离反射板二(22)的一侧还设有反射板四(24),所述反射板四(24)到高频辐射天线阵列二的距离为d6,所述d6为f3的0.2-0.5倍波长;所述反射板四(24)的长度为d7,高度为h4,所述d7大于等于高频辐射天线阵列二的长度,所述h4为f3的0.13-0.2倍波长,所述反射板二(22)的长度等于底板(1)的长度,所述底板(1)的宽度为d8,所述d8为f1的0.5-0.8倍波长与f3的0.7-1.2倍波长之和,相邻两个低频振子(3)的中心之间的距离为X,所述X为f1的0.8~1.1倍波长;相邻两个高频振子一(4)的中心之间的距离为Y,所述Y为f2的0.7~1.1倍波长;相邻两个高频振子二(5)的中心之间的距离为Z,所述Z为f3的0.7~1.1倍波长;所述高频振子一(4)的中心到高频振子二(5)的中心之间的垂直距离为L,所述L为f2的0.7-1.1倍波长;所述低频振子(3)、高频振子一(4)和高频振子二(5)均为铝合金压铸振子。

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