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申请/专利权人：电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
摘要：本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种基于SOI工艺的CMOS集成电路基本单元，包括：从下到上依次设置有硅单晶半导体区域、外延硅单晶区域、SOI区域以及晶体管；晶体管由硅单晶半导体区、沟道区、漂移区、源区、漏区、栅极氧化层以及多晶硅电极组成；其中沟道区设置在SOI层上表面的中心区域，沟道区的两侧分别设置漂移区，在两个漂移区的外侧分别设置源区和漏区，在源区和漏区的外侧均设置硅单晶半导体区，沟道区顶部依次设置栅极氧化层和多晶硅电极；本发明基于SOI工艺在源区和漏区增加漂移区，抑制短沟道效应，进而可以提高IC集成度，节约芯片面积。
主权项：1.一种基于SOI工艺的CMOS集成电路基本单元，其特征在于，包括：从下到上依次设置有硅单晶半导体区域、外延硅单晶区域、SOI区域以及晶体管；晶体管由硅单晶半导体区、沟道区、漂移区、源区、漏区、栅极氧化层以及多晶硅电极组成；其中沟道区设置在SOI层上表面的中心区域，沟道区的两侧分别设置漂移区，在两个漂移区的外侧分别设置源区和漏区，在源区和漏区的外侧均设置硅单晶半导体区，沟道区顶部依次设置栅极氧化层和多晶硅电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院 一种基于SOI工艺的CMOS集成电路基本单元
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